[发明专利]丝网印刷系统及丝网印刷方法有效
| 申请号: | 202110872243.4 | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113442563B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 张良;符欣;辛华伟;程尚之;李晨;李建清;吴建晓 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
| 主分类号: | B41F15/08 | 分类号: | B41F15/08;B41F15/14;B41M1/12;G06V10/24 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
| 地址: | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 丝网 印刷 系统 方法 | ||
本发明提供一种丝网印刷方法及丝网印刷系统,丝网印刷方法包括:提供可移动载台;当可移动载台处于初始位置时,将丝网印版设置在可移动载台的周围,丝网印版具有待印刷图案,将半导体器件放置在可移动载台上,第一栅线与可移动载台接触,采用图像传感装置获取半导体器件至丝网印版的第一相对位置信息;在可移动载台的移动过程中采用激光发射部件和红外光接收部件获取第一栅线在半导体器件中的第二位置信息;根据第一相对位置信息和第二位置信息中的至少第二位置信息,采用移动件带动丝网印版移动,使待印刷图案与第一栅线对准;以丝网印版为掩膜在半导体器件的表面印刷第二栅极。丝网印刷方法容易实现第二栅线与第一栅线的对准,且对准效率较高。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种丝网印刷系统及丝网印刷方法。
背景技术
太阳能光伏发电技术是目前解决能源危机和环境污染问题最有前途的可再生能源技术之一。太阳能电池根据所用材料的不同,可分为:硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池等,其中硅太阳能电池是发展最成熟的,在应用中居主导地位。近年来,硅太阳能电池中的异质结电池(HJT或SHJ)凭借其低的制作工艺温度、简单的工艺流程、高的开路电压、高的转换效率、低的温度系数、优异高温/弱光发电特性和低衰减等特点,得到了迅速的发展。
异质结电池以n型单晶硅片为基底的双面太阳电池,在硅片的正面制备有本征非晶硅薄膜、n型掺杂非晶硅薄膜、透明导电层和正面金属电极,背面制备有本征非晶硅薄膜、p型掺杂非晶硅薄膜、透明导电层和背面金属电极。其中,金属电极一般由细栅和主栅构成,主要成分为银或者铝。异质结电池产生的光生载流子首先经由细栅收集并汇流至主栅,并由主栅传输至外。主栅数量越大,串联电阻降低,但在电池表面的遮光面积会增加,影响电池转换效率的提高。因此,为了不增加电池的遮光面积,通常控制主栅的宽度范围为30μm至60μm。
为了保证异质结电池的环境耐受性,并具备一定的机械性能,同时也能形成大规模的电力应用,通常会将异质结电池形成异质结电池组件。形成异质结电池组件的必要工艺之一是采用金属互联条或者焊带将多个异质结电池进行串联,形成异质结电池组件。具体的,一个金属互联条包括依次连接的第一覆盖段、连接段和第二覆盖段,第一覆盖段覆盖一个异质结电池的正面主栅,第二覆盖段覆盖相邻异质结电池的背面主栅。为了便于金属互联条或者焊带的连接,通常异质结电池的正面主栅和背面主栅的位置相互对应。异质结电池的金属电极通常采用丝网印刷工艺制备,对两面金属电极的对位要求很高。
然而,现有丝网印刷系统和丝网印刷方法的对准效率较低,且易造成正面主栅和背面主栅无法实现高精度的对准,而且效率较低。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有丝网印刷系统和丝网印刷方法易造成半导体器件的正面主栅和背面主栅无法对准且对准效率较低的缺陷,从而提供一种丝网印刷系统及丝网印刷方法。
本发明提供一种丝网印刷方法,用于半导体器件的图案的定位印刷,所述半导体器件的图案包括第一栅线,包括以下步骤:提供可移动载台;当所述可移动载台处于初始位置时,将丝网印版设置在所述可移动载台的周围,所述丝网印版具有待印刷图案;当所述可移动载台处于初始位置时,将所述半导体器件放置在所述可移动载台上,所述第一栅线与所述可移动载台接触,所述半导体器件位于所述丝网印版的侧部,采用图像传感装置获取所述半导体器件至所述丝网印版的第一相对位置信息;所述可移动载台自初始位置移动至目标位置,在所述可移动载台自所述初始位置移动至所述目标位置的过程中,采用激光发射部件朝向所述可移动载台发射激光,采用红外光接收部件接收所述半导体器件发出的红外光信号,以获取所述第一栅线在所述半导体器件中的第二位置信息;根据所述第一相对位置信息和所述第二位置信息中的至少所述第二位置信息,采用移动件带动所述丝网印版移动,使所述待印刷图案与所述第一栅线对准;以对准之后的丝网印版为掩膜在所述半导体器件的背离所述第一栅线的表面印刷第二栅极。
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