[发明专利]一种LED芯片

说明书

本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体的，涉及一种LED芯片。

背景技术

随着LED显示技术的迅速发展，具有优良显示效果的Mini LED甚至Micro LED已经成为行业研究热点。然而，Mini LED或Micro LED在生产、运输、加工过程中容易出现静电放电现象(Electro-Static discharge，ESD)，即静电电荷在LED芯片的两个电极之间进行放电，导致LED芯片局部烧熔，从而造成漏电以及短路的现象。究其原因，一方面由于Mini LED或Micro LED的尺寸较小，瞬时释放的高电流局限在小区域，电流密度过高导致局部烧熔；另一方面，由于当前LED芯片电极设计主要为圆形，放电时电流集中在P电极边缘(靠近N电极一侧)，产生电流拥挤效应，从而导致该区域容易发生熔融击穿现象。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明提出了一种LED芯片，本发明的LED芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，第一电极结构和第二电极结构均为沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在与第二方向垂直的第一方向上平行排布。长条状的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种LED芯片，所述LED芯片包括：

衬底；

外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；

电极结构，包括第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接，所述第二电极结构形成在所述第二台面的表面上，与所述第二台面的第二半导体层连接，所述第一电极结构与第二电极结构在第一方向上并列排布；

其中，所述电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸。

可选地，所述电极结构为矩形。

可选地，所述电极结构为由两条相对的直边和两条相对的弧形边形成的轴对称图形，其对称轴沿所述第一方向，且与所述两条相对的直边平行。

可选地，在所述第一方向上，所述电极结构中的所述第一电极结构的两条弧形边向远离所述第二电极结构的方向弯曲，所述电极结构中的所述第二电极结构的两条弧形边向远离所述第一电极结构的方向弯曲。

可选地，在所述第一方向上，所述电极结构中的所述第一电极结构的两条形弧边向靠近所述第二电极结构的方向弯曲，所述电极结构中的所述第二电极结构的两条弧形边向远离所述第一电极结构的方向弯曲。

可选地，所述弧形边在所述第一方向上的弯曲距离小于等于2μm。