[发明专利]一种LED芯片有效

专利信息
申请号: 202110864342.8 申请日: 2021-07-29
公开(公告)号: CN113644176B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 杨人龙;张丽明;郑逸;张中英;邓有财 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 芯片
【权利要求书】:

1.一种LED芯片,其特征在于,包括:

衬底;

外延层,形成在所述衬底的表面,所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层,所述第一半导体层形成第一台面,所述第一半导体层、第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面;

电极结构,包括第一电极结构和第二电极结构,所述第一电极结构形成在所述第一台面的表面上,与所述第一半导体层连接,所述第二电极结构形成在所述第二台面的表面上,与所述第二台面的第二半导体层连接,所述第一电极结构与第二电极结构在第一方向上并列排布,所述电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸;

其中,所述电极结构为由两条相对的直边形成的轴对称图形,其对称轴沿所述第一方向,且与所述两条相对的直边平行;所述电极结构包括电流扩展条和至少一个传导节点,所述电流扩展条和所述传导节点形成连续结构,第一电极结构的电流扩展条为长条形,与第二电极结构的第二方向延伸部分平行,第二电极结构的电流扩展条为“T”形结构,第一电极结构的传导节点设置在电流扩展条靠近第二电极结构的一侧,第二电极结构的传导节点设置在电流扩展条远离第一电极结构的一端;

还包括绝缘保护层,所述绝缘保护层形成在所述第一台面和第二台面的表面;绝缘保护层具有通孔,

第一焊盘,形成在所述绝缘保护层上方,通过通孔、传导节点与所述第一电极结构电性连接,第二焊盘,形成在所述绝缘保护层上方,通过通孔、传导节点与所述第二电极结构电性连接。

2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,在所述第一电极结构的传导节点对应的位置处,所述第一台面和所述第二台面的交界线在第一方向上向第二台面弯曲,并且所述交界线的弯曲距离小于等于所述第一电极结构与所述第二电极结构之间水平距离的15%。

3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,第二电极结构的电流扩展条为“T”形结构,“T”形结构包括第一方向延伸的“|”和第二方向延伸的“—”,第二方向延伸部关于两者交点对称。

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