[发明专利]一种半导体器件封装方法及封装系统、辅助压力夹具

权利要求书

1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

提供熔扩装片后的半导体器件，所述半导体器件包括载片台、设置在所述载片台上的芯片以及夹设在所述芯片的背面和所述载片台之间的合金粘结层；

将所述半导体器件在高温真空回流条件下，通过辅助压力夹具对所述芯片的正面持续施加预设的辅助压力，直至回流结束，在温度下降至预设温度后解除所述辅助压力，以排出所述合金粘结层中的空洞。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述辅助压力夹具包括底座以及设置在所述底座上的上盖，所述上盖朝向所述底座的一侧设置有下压接触块，所述对所述芯片的正面持续施加预设的辅助压力，包括：

将所述半导体器件置于所述底座上；

将设置有所述下压接触块的所述上盖压在所述底座上，使得所述下压接触块与所述芯片的正面抵接，以在所述上盖的重量作用下对所述芯片的正面持续施加所述辅助压力。

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述辅助压力夹具还包括限位固定座，所述限位固定座设置在所述底座和所述上盖之间，所述限位固定座设置有限位通孔，所述限位通孔与所述芯片相对应；

所述将设置有所述下压接触块的所述上盖压在所述底座上，使得所述下压接触块与所述芯片的正面抵接，包括：

将所述下压接触块穿过所述限位通孔至与所述芯片的正面抵接。

4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述通过辅助压力夹具对所述芯片的正面持续施加预设的辅助压力，还包括：

根据不同的半导体器件，设计不同重量的所述上盖，以对不同的所述半导体器件的芯片的正面施加不同的所述辅助压力。

5.根据权利要求1至4任一项所述的封装方法，其特征在于，所述预设温度的范围为75℃～85℃。

6.一种半导体器件封装用辅助压力夹具，所述半导体器件为熔扩装片后的半导体器件，该半导体器件包括载片台、设置在所述载片台上的芯片以及夹设在所述芯片的背面和所述载片台之间的合金粘结层，其特征在于，所述辅助压力夹具包括：

底座，用于承载所述半导体器件；

上盖，所述上盖设置在所述底座上，所述上盖朝向所述底座的一侧设置有下压接触块，所述下压接触块能够与所述芯片的正面抵接。

7.根据权利要求6所述的辅助压力夹具，其特征在于，所述辅助压力夹具还包括限位固定座；

所述限位固定座设置在所述底座和所述上盖之间，所述限位固定座设置有供所述下压接触块穿过的限位通孔，所述限位通孔与所述芯片相对应。

8.根据权利要求6或7所述的辅助压力夹具，其特征在于，所述下压接触块为弹性下压接触块。

9.根据权利要求8所述的辅助压力夹具，其特征在于，所述弹性下压接触块采用耐高温导热材料制作形成。

10.一种半导体器件封装系统，其特征在于，所述封装系统包括权利要求6至9任一项所述的辅助压力夹具，所述封装系统还包括加热块，所述底座设置在所述加热块上。