[发明专利]滤波器及其制备方法、双工器

权利要求书

1.一种滤波器，其特征在于，包括：

衬底；

至少两层谐振器层，各所述谐振器层在所述衬底的一侧沿所述衬底厚度方向堆叠设置，且相邻所述谐振器层直接接触。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述谐振器层包括层叠设置的下电极层、压电层、上电极层和盖帽层，同一所述谐振器层的下电极层位于所述上电极层靠近所述衬底的一侧，至少两层谐振器层中的相对应的设定膜层的厚度不同，所述设定膜层为所述下电极层、所述上电极层、所述压电层中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，

同一所述谐振器层的所述盖帽层与所述上电极层之间形成空腔；

所述谐振器层包括多个谐振器，所述谐振器包括位于下电极层的下电极、位于所述压电层的压电单元、位于所述上电极层的上电极，所述谐振器的所述下电极、所述压电单元、所述上电极的至少部分位于所述空腔内。

4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述盖帽层采用沉积方式形成。

5.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，每个所述谐振器层靠近所述衬底的一侧设置有声反射结构，所述声反射结构位于所述衬底上或者所述盖帽层上。

6.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，同一所述谐振器层中至少两个所述谐振器的相同膜层的厚度不同。

7.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，同一所述谐振器层的各谐振器的相同膜层的厚度相同。

8.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，还包括导电引线，所述导电引线用于连接位于不同所述谐振器层的谐振器；在所述滤波器的厚度方向上，所述导电引线贯穿至少一层所述盖帽层。

9.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧形成至少两层谐振器层；

其中在一所述谐振器层远离衬底的一侧形成相邻谐振器层时，在一所述谐振器层远离衬底的一侧直接沉积相邻谐振器层的膜层，以使至少两层所述谐振器层在所述衬底的一侧沿所述衬底厚度方向堆叠设置，且相邻所述谐振器层直接接触。

10.根据权利要求8所述的滤波器的制备方法，其特征在于，在所述衬底的一侧形成至少两层谐振器层，包括：

在所述衬底的一侧逐层形成在所述衬底厚度方向上堆叠设置的至少两层谐振器层；

其中形成所述至少两层谐振器层中任一所述谐振器层，包括：

在设定基底的一侧依次形成下电极层、压电层和上电极层；

在所述上电极层远离所述设定基底的一侧沉积牺牲材料；

图形化所述牺牲材料，以保留对应于形成谐振器位置的牺牲材料；

在所述牺牲材料远离所述设定基底的一侧形成盖帽层；

图形化所述盖帽层，释放所述牺牲材料；

其中，所述设定基底为所述衬底或所述盖帽层。

11.根据权利要求10所述的滤波器的制备方法，其特征在于，在所述设定基底的一侧依次形成下电极层、压电层和上电极层之前，还包括：

在所述设定基底的内部或者表面设置声反射结构，所述下电极层至少部分覆盖所述声反射结构。

12.一种双工器，其特征在于，包括发射滤波器和接收滤波器，所述发射滤波器和/或所述接收滤波器为权利要求1-8任一项所述的滤波器。

13.根据权利要求12所述的双工器，其特征在于，所述发射滤波器和所述接收滤波器在所述衬底厚度方向键合连接。

14.根据权利要求13所述的双工器，其特征在于，还包括密封圈，所述密封圈位于所述发射滤波器和所述接收滤波器之间，所述发射滤波器和所述接收滤波器通过所述密封圈键合连接。

15.根据权利要求14所述的双工器，其特征在于，所述密封圈设置于所述发射滤波器最远离所述发射滤波器的衬底的谐振器层的一侧，并设置于所述接收滤波器最远离所述接收滤波器的衬底的谐振器层的一侧，所述发射滤波器最远离所述发射滤波器的衬底的谐振器层、所述接收滤波器最远离所述接收滤波器的衬底的谐振器层和所述密封圈形成密封结构。