[发明专利]晶圆处理装置及方法

说明书

本发明公开了一种晶圆处理装置及方法。所述晶圆处理装置包括：处理腔室，用于容纳晶圆；第一进气管，设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第一气孔；第二进气管，设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第二气孔；第三进气管，设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第三气孔；所述第一气孔、所述第二气孔、所述第三气孔在所述处理腔室的高度方向上间隔排布。本发明能够有效改善晶圆的负载效应，提高晶圆的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置及方法。

背景技术

在采用炉管对晶舟上的多个晶圆进行ONO(氧化硅-氮化硅-氧化硅)结构沉积时，晶舟的顶部和底部还会放置虚拟晶圆(dummy wafer)。由于虚拟晶圆与多个晶圆的结构不同，导致与虚拟晶圆相邻设置的晶圆会受到影响，造成负载效应。现有技术通过改善虚拟晶圆的结构来减小对相邻晶圆的影响，从而改善虚拟晶圆的相邻晶圆的负载效应。

但是，实际应用中，由于炉管中仅设置两个用于传输载气的进气管，且两个进气管上的气孔分别与晶舟的顶部和底部相对，容易导致炉管中的反应气体在处理晶圆后残存的气体堆积在晶舟的中部，使得晶舟中部的晶圆也会存在负载效应，而通过改善虚拟晶圆结构的方法无法改善晶舟中部的晶圆的负载效应，导致晶圆的性能受到影响。

发明内容

本发明提供一种晶圆处理装置及方法，能够有效改善晶圆的负载效应，提高晶圆的性能。

本发明提供了一种晶圆处理装置，包括：

处理腔室，用于容纳晶圆；

第一进气管，设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第一气孔；

第二进气管，设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第二气孔；

第三进气管，设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第三气孔；

所述第一气孔、所述第二气孔、所述第三气孔在所述处理腔室的高度方向上间隔排布。

进一步优选地，所述第二气孔被配置为与所述晶圆的中部相对。

进一步优选地，所述第一气孔被配置为与所述晶圆的顶端相对，所述第三气孔被配置为与所述晶圆的底端相对。

所述晶圆处理装置还包括第一壳体和第二壳体；

所述第一壳体为中空壳体，以围成所述处理腔室，所述第一壳体上具有第一排气口，且所述第一排气口与所述处理腔室相连通；

所述第二壳体为中空壳体，以容纳所述第一壳体，所述第二壳体上具有第二排气口，且所述第二排气口与所述第一排气口相连通。

进一步优选地，所述第一排气口沿所述第一壳体的侧表面的底部延伸至顶部，所述第二排气口位于所述第二壳体的侧表面的底部。

进一步优选地，所述晶圆处理装置还包括挡板；

所述挡板覆盖在所述第一排气口上，且所述挡板与所述晶圆的中部相对。

进一步优选地，所述晶圆处理装置还包括第三壳体；

所述第三壳体为中空壳体，且所述第三壳体容纳所述第一壳体，所述第二壳体容纳所述第三壳体；

所述第三壳体上具有第三排气口，且所述第三排气口与所述第一排气口和所述第二排气口相连通。

进一步优选地，所述第三排气口沿所述第三壳体的侧表面的底部延伸至顶部。

进一步优选地，所述第一排气口与所述第三排气口沿所述第三壳体的周向间隔排布。

所述第一排气口与所述第三排气口在所述第三壳体的周向上间隔130度至210度。