[发明专利]晶圆处理装置及方法有效
申请号: | 202110861416.2 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113621945B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 周静兰;雷涛;刘喜锋 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种晶圆处理装置,其特征在于,包括:
处理腔室,用于容纳晶圆;
第一进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第一气孔;
第二进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第二气孔;
第三进气管,设有用于向所述处理腔室传输载气的至少一个第三气孔;
所述第一气孔、所述第二气孔、所述第三气孔在所述处理腔室的高度方向上间隔排布,所述第二气孔被配置为与所述晶圆的中部相对,所述第一气孔被配置为与所述晶圆的顶端相对,所述第三气孔被配置为与所述晶圆的底端相对;
所述晶圆处理装置还包括第一壳体、第二壳体、第三壳体和挡板;
所述第一壳体为中空壳体,以围成所述处理腔室,所述第一壳体上具有第一排气口,且所述第一排气口与所述处理腔室相连通,所述第一排气口沿所述第一壳体的侧表面的底部延伸至顶部;
所述第二壳体为中空壳体,以容纳所述第一壳体,所述第二壳体上具有第二排气口,且所述第二排气口与所述第一排气口相连通,所述第二排气口位于所述第二壳体的侧表面的底部;
所述第三壳体为中空壳体,且所述第三壳体容纳所述第一壳体,所述第二壳体容纳所述第三壳体,所述第三壳体上具有第三排气口,且所述第三排气口与所述第一排气口和所述第二排气口相连通,所述第三排气口沿所述第三壳体的侧表面的底部延伸至顶部;
所述挡板覆盖在所述第一排气口上,且所述挡板与所述晶圆的中部相对;
其中,所述第一排气口与所述第三排气口在所述第三壳体的周向上间隔130度至210度;所述第一进气管、所述第二进气管、所述第三进气管和所述第一排气口沿所述第一壳体的周向间隔排布,且所述第一进气管、所述第二进气管、所述第三进气管与所述第一排气口在所述第一壳体的周向上的间隔角度均不小于90度。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述第一排气口与所述第三排气口沿所述第三壳体的周向间隔排布。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述晶圆处理装置还包括至少一个传输管;
所述传输管上设有用于向所述处理腔室传输反应气体的多个第四气孔,所述多个第四气孔在所述处理腔室的高度方向上间隔排布。
4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置,其特征在于,所述第一进气管、所述第二进气管、所述第三进气管和所述传输管沿所述处理腔室的周向间隔排布,且所述第一进气管、所述第二进气管、所述第三进气管与所述传输管在所述处理腔室的周向上的间隔角度均不小于90度。
5.一种晶圆处理方法,其特征在于,采用如权利要求1所述的晶圆处理装置,所述方法包括:
将若干晶圆放置在处理腔室中,所述若干晶圆沿所述处理腔室的高度方向间隔排列;
分别向所述处理腔室中所述晶圆的多个位置传输载气,以对所述晶圆进行处理;所述多个位置在所述处理腔室的高度方向上间隔排布。
6.根据权利要求5所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述多个位置包括所述晶圆的顶端、中部和底端。
7.根据权利要求5所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述方法还包括:
在向所述处理腔室传输载气的过程中,向所述处理腔室传输反应气体,以对所述晶圆进行处理;
通过所述载气将所述反应气体处理所述晶圆后的残存气体排出所述处理腔室。
8.根据权利要求7所述的晶圆处理方法,其特征在于,所述方法还包括:
将所述处理腔室排出的残存气体通过第一排气通道排出,所述第一排气通道与所述处理腔室相连通,所述处理腔室排出所述残存气体的位置与所述晶圆的顶端和底端相对,所述第一排气通道排出所述残存气体的位置与所述晶圆的底端相对。
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