[发明专利]基板处理装置和中继构件的驱动方法在审
| 申请号: | 202110851982.5 | 申请日: | 2021-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN114068280A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 佐佐木信峰;松浦伸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 中继 构件 驱动 方法 | ||
本发明提供在驱动部位也能够准确地测量压力的基板处理装置和中继构件的驱动方法。基板处理装置具有腔室、屏蔽构件以及中继构件。腔室具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。屏蔽构件设于腔室的侧壁附近的至少局部,屏蔽构件将处理室与排气室隔开,并且在屏蔽构件的与腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通处理室和排气室的孔,屏蔽构件能够在上下方向上驱动。中继构件为中空,中继构件与连接于腔室的外部的计量仪器的配管连接,中继构件能够在水平方向上驱动,在屏蔽构件到达了上端时,中继构件被向腔室的中心方向驱动,从而中继构件的中心方向侧的端部与屏蔽构件连接,并且借助孔连通处理室和配管。
技术领域
本公开涉及基板处理装置和中继构件的驱动方法。
背景技术
以往,公知有利用导入的气体对基板实施期望的处理的基板处理装置。基板处理装置包括腔室,该腔室具有:载置基板并供气体导入的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。在腔室内设有沉积物屏蔽件,以防止在蚀刻等处理中生成的沉淀物(沉积物)附着于腔室的内壁。沉积物屏蔽件在腔室内将处理室与排气室隔开。在基板处理装置中,在实施期望的处理时,进行测量并控制作为表示处理室内的状态的值的压力,以符合处理条件。为了在设有沉积物屏蔽件的状态下准确地测量腔室内的处理室的压力,提案有在压力计的导入部设置套筒的方案。
另外,在腔室设有用于送入送出基板的开口部,并配置有开闭开口部的闸阀。因此,在沉积物屏蔽件上与腔室的开口部的位置对应地设有闸门,该闸门能够通过上下驱动而开口。
专利文献1:日本特开2015-119069号公报
专利文献2:日本特开2015-126197号公报
发明内容
本公开提供即使在驱动部位也能够准确地测量处理室内的状态的基板处理装置和中继构件的驱动方法。
本公开的一技术方案的基板处理装置具有腔室、屏蔽构件以及中继构件。腔室具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对处理室内的气体进行排气的排气室。屏蔽构件设于腔室的侧壁附近的至少局部,该屏蔽构件将处理室与排气室隔开,并且在该屏蔽构件的与腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通处理室和排气室的孔,该屏蔽构件能够在上下方向上驱动。中继构件为中空,该中继构件与连接于腔室的外部的计量仪器的配管连接,该中继构件能够在水平方向上驱动,在屏蔽构件到达了上端时,该中继构件向腔室的中心方向被驱动,从而该中继构件的中心方向侧的端部与屏蔽构件连接,并且借助孔连通处理室和配管。
根据本公开,即使在驱动部位也能够准确地测量处理室内的状态。
附图说明
图1是表示本公开的一实施方式的基板处理装置的一个例子的图。
图2是表示本实施方式的套筒驱动机构的截面的一个例子的局部放大图。
图3是表示本实施方式的屏蔽构件的与套筒接触的面的一个例子的图。
图4是表示本实施方式的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的一个例子的图。
图5是表示本实施方式的屏蔽构件与套筒之间的O形密封圈的配置的另一例子的图。
图6是表示本实施方式的套筒驱动机构的动作的一个例子的图。
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