[发明专利]基板处理装置和中继构件的驱动方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其中，

该基板处理装置具有：

腔室，其具有利用导入的气体执行对基板的处理的处理室和对所述处理室内的气体进行排气的排气室；

屏蔽构件，其设于所述腔室的侧壁附近的至少局部，该屏蔽构件将所述处理室与所述排气室隔开，并且在该屏蔽构件的与所述腔室的侧壁平行的壁面的局部具有连通所述处理室和所述排气室的孔，该屏蔽构件能够在上下方向上驱动；以及

中空的中继构件，其与连接于所述腔室的外部的计量仪器的配管连接，该中继构件能够在水平方向上驱动，在所述屏蔽构件到达了上端时，该中继构件被向所述腔室的中心方向驱动，从而该中继构件的所述中心方向侧的端部与所述屏蔽构件连接，并且借助所述孔连通所述处理室和所述配管。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在供所述中继构件接触的所述壁面，在小于所述中继构件的内径的范围内设有一个或多个所述孔。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，

所述屏蔽构件在供所述中继构件接触的所述壁面的外侧设有能够供所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入的凹部。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，

在供所述中继构件接触的所述壁面、或所述中继构件的所述中心方向侧的端部具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部与所述壁面接触的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密封。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

在所述凹部的侧面、或所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部的外侧具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入于所述凹部的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密封。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述孔为能够供所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入的贯通孔。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部的端面为袋状，在所述端面具有一个或多个孔。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部具有在该端部插入于所述贯通孔的状态下与所述壁面接触的止挡件。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

在供所述止挡件接触的所述壁面、或所述止挡件的与所述壁面接触的面具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入于所述贯通孔的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密封。

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

在所述贯通孔的侧面、或所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部的外侧具有O形密封圈，在所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部插入于所述贯通孔的情况下，利用所述O形密封圈将所述处理室与所述排气室之间密封。

11.根据权利要求1～3、7、8中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部与所述屏蔽构件连接的部分具有间隙。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，

所述间隙的电导率为小于所述屏蔽构件的所述孔的电导率的值、或小于所述中继构件的所述中心方向侧的所述端部的端面的所述孔的电导率的值。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述中继构件能够在其内部利用波纹管或轴密封件与外部隔开了的状态下在水平方向上驱动。