[发明专利]一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法

说明书

本发明公开了一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，主要包括以下步骤：(1)制备导电材料墨水，导电材料由细纳米银线及难被刻蚀的金属单质或复合物组成；(2)将导电材料墨水涂覆在基底表面形成导电层；(3)在导电层表面涂覆保护层制备得到纳米银线导电膜；(4)根据预设图案对纳米银线导电膜进行刻蚀。由于导电材料中纳米银线容易被蚀刻，而其它金属单质或复合物(例如金属纳米棒、金属纳米颗粒、金属纳米片以及钝化或金属包覆的纳米材料)由于尺寸相对较大或表面活性低而未完全被蚀刻，以实现对蚀刻区的光学补充，进而降低蚀刻痕。较之传统的同一规格银线的截断式蚀刻，本发明提供的方法工艺调控空间大，效果可叠加，且适合大尺寸导电膜。

技术领域

本发明涉及导电触控材料领域，具体涉及一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法。

背景技术

纳米银线作为近年来最火的新型触控材料之一，它拥有导电性好，耐弯折能力强，透过率高，量产技术成熟等优点，是目前最有可能替代ITO作为导电触控材料的纳米技术。纳米银导电膜和ITO一样，都起到了传输信号的作用，需要铺在基材表面形成一个导电层，然后通过激光或者蚀刻膏黄光蚀刻的方法形成一个个通道，用于信号和位置信息的传输。但由于银对光的散射及反射，当银纳米线被蚀刻后，蚀刻区和非蚀刻区对光的散射和反射有较大差异，这种差异就是视觉上的蚀刻痕，这严重制约了银纳米线作为导电触控材料的发展。

目前用以解决纳米银线导电膜蚀刻痕较深问题的方法有：合成更细更长的银纳米线，降低光散射和反射，但由于长径比大的银纳米线在合成、提纯以及分散中都存在较大的技术挑战。此外，通过降低蚀刻宽度来降低蚀刻痕，但蚀刻宽度降低会导致部分通道蚀刻不断的情况，进而使功能片面内通道发生短路。截断式蚀刻处理的方法不存在上述问题，主要是通过银线残留，减少蚀刻区与非蚀刻区的光学差异，但工艺上较为复杂，尤其难以处理大尺寸的导电膜。

发明内容

本发明提供了一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，将细纳米银线与难被蚀刻的金属单质和/或金属复合物混合作为导电材料制备导电膜，形成刻蚀难度不一的体系，刻蚀处理后，难被刻蚀的金属单质或金属复合物残留在蚀刻区，实现了对蚀刻区的光学补充，进而降低导电膜蚀刻痕，该方法工艺简便，操作简单，适用于各种尺寸的导电膜的蚀刻处理。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下所述的技术方案：

本发明第一方面提供了一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，包括以下步骤：

步骤(1)：制备导电材料墨水；

步骤(2)：将导电材料墨水涂覆在基底表面形成导电层；

步骤(3)：在导电层表面涂覆保护层制备得到纳米银线导电膜；

步骤(4)：根据预设图案对纳米银线导电膜进行刻蚀；

所述导电材料由纳米银线及难被刻蚀的金属单质和/或金属复合物组成；所述难被刻蚀的金属单质和/或金属复合物在导电材料中的质量占比为10％～50％。

进一步地，所述纳米银线的长度为1～100μm。

进一步地，所述纳米银线的直径为10～30nm。

进一步地，所述难被刻蚀的金属单质为金属棒、金属颗粒或金属纳米片；所述难被刻蚀的金属复合物为钝化的金属纳米材料或金属包覆的纳米材料。

进一步地，所述金属棒的长度为1～100μm。

进一步地，所述金属棒的直径为50nm～5μm。

进一步地，所述金属颗粒的直径为50nm～5μm。