[发明专利]一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法

权利要求书

1.一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)：制备导电材料墨水；

步骤(2)：将导电材料墨水涂覆在基底表面形成导电层；

步骤(3)：在导电层表面涂覆保护层制备得到纳米银线导电膜；

步骤(4)：根据预设图案对纳米银线导电膜进行刻蚀；

所述导电材料由纳米银线及难被刻蚀的金属单质和/或金属复合物组成；所述难被刻蚀的金属单质和/或金属复合物在导电材料中的质量占比为10％～50％。

2.根据权利要求1所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述纳米银线的长度为1～100μm，直径为10～30nm。

3.根据权利要求1所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述难被刻蚀的金属单质为金属棒、金属颗粒或金属纳米片；所述难被刻蚀的金属复合物为钝化的金属纳米材料或金属包覆的纳米材料。

4.根据权利要求3所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述金属棒的长度为1～100μm，直径为50nm～5μm。

5.根据权利要求3所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述金属颗粒的直径为50nm～5μm。

6.根据权利要求3所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述钝化的金属纳米材料为金属钝化纳米材料及有机钝化纳米材料；所述金属钝化纳米材料为金包银线、铂包银线、银包铜线或金包铜线；所述有机钝化纳米材料通过有机试剂处理纳米银线得到；所述有机试剂为苯并三氮唑、苯并咪唑、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的一种或多种。

7.根据权利要求3所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述金属包覆的纳米材料中纳米材料为石墨烯、碳纳米管或碳纳米纤维。

8.根据权利要求3所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述金属棒、金属颗粒、金属纳米片及金属包覆的纳米材料中的金属为银、铜、镍、铂和金中的一种。

9.根据权利要求1所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述刻蚀的方法为激光刻蚀、蚀刻膏刻蚀、黄光刻蚀中的一种；所述蚀刻膏刻蚀具体为：将蚀刻膏印刷在导电膜上，进行烘烤，烘烤后水洗；所述烘烤的温度为80～150℃；所述烘烤的时间为10～60min。

10.根据权利要求9所述的一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，其特征在于，所述刻蚀的宽度20～300μm。