[发明专利]铁电随机存取存储器感测方案

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

多个存储器单元，所述多个存储器单元布置在行和列中，其中，每个存储器单元包括铁电电容器和场效应晶体管FET；

第一极板线，所述第一极板线耦合到第一存储器单元的在第一行和第一列的第一铁电电容器；

第一位线，所述第一位线将所述第一存储器单元的第一FET耦合到第一感测放大器；以及

第一字线，所述第一字线将字线信号耦合到所述第一FET；

其中，在所述第一存储器单元的读操作期间，脉冲信号在所述第一极板线上被置为有效以询问所述第一铁电电容器，并且在所述感测放大器被启用用于感测操作之前，所述脉冲信号被无效，并且其中在所述感测放大器被禁用之后，在所述第一字线上的所述字线信号被无效。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一FET是传输晶体管，所述第一FET将所述第一铁电电容器的第一极板耦合到所述第一位线，并且所述第一存储器单元具有单晶体管单电容器1T1C配置。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述第一极板线耦合以向所述第一铁电电容器的第二极板提供脉冲信号。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述感测放大器的感测操作将从所述第一存储器单元通过所述第一位线输出的存储器信号的振幅与参考信号进行比较。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述第一字线耦合到所述第一FET的栅极，并且所述字线信号被配置为打开或关闭所述第一FET。

6.根据权利要求4所述的存储器设备，还包括：

第二极板线，所述第二极板线耦合到所述第一存储器单元的在第二列和所述第一行中的第二铁电电容器；

第二位线，所述第二位线将所述第一存储器单元的第二FET耦合到所述第一感测放大器；

其中，在所述第一存储器单元的读操作期间，从第二存储器单元通过所述第二位线输出的互补信号作为所述参考信号耦合到所述第一感测放大器。

7.一种非易失性存储器设备的操作方法，包括：

选择所述非易失性存储器设备的第一存储器单元以用于读操作，其中，所述存储器设备的存储器单元布置在行和列中，并且其中所述存储器单元中的所述第一存储器单元包括单晶体管单电容器1T1C配置；

通过第一字线耦合字线信号，以打开所述第一存储器单元的第一传输晶体管；

通过第一极板线将方波脉冲信号耦合到所述第一存储器单元的第一铁电电容器，其中，存储器信号响应于所述方波脉冲信号的询问而被输出；

通过第一位线将所述存储器信号耦合到感测放大器；以及

使所述方波脉冲信号无效；

在所述方波脉冲信号被无效之后，将使能信号耦合到所述感测放大器；

使所述使能信号无效；以及

使所述字线信号无效。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述使能信号被配置为开始感测操作，并且其中所述感测放大器被配置为将所述存储器信号的振幅与参考信号进行比较以确定所述第一存储器单元的二进制状态。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述存储器单元中的每一个包括铁电电容器。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一字线与所述存储器单元的第一行相关联，并且所述第一位线和所述第一极板线与所述存储器单元的第一列相关联。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述读操作期间，所述字线信号和所述使能信号并不同时置为有效。