[发明专利]光罩的制备方法及光罩

说明书

本申请实施例涉及一种光罩的制备方法及光罩，所述方法包括：提供测试光罩，所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区，所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形；获取所述对准图形的偏移数据；根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域；根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，以及根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。本申请能够减少对准图形的数量同时又能保证光罩检测质量。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光罩的制备方法及光罩。

背景技术

随着集成电路制造工艺的快速发展，对半导体产品的集成度的要求越来越高，单位面积内分布的半导体器件的数量不断增加，导致图案对准的要求越来越高，需要在光罩上制作大量对准图形以检测光罩的质量，占用了大量的光罩面积。

发明内容

本申请实施例提供一种能够减少对准图形的数量同时又能保证光罩检测质量的光罩的制备方法及光罩。

根据一些实施例，本申请的一方面提供一种光罩的制备方法，包括：

提供测试光罩，所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区，所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形；

获取所述对准图形的偏移数据；

根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域；

根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，以根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。

在上述实施例中的光罩的制备方法中，通过在测试光罩上设置若干个芯片功能区，芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形，芯片功能图形用于限定制成半导体芯片功能层中的功能结构，其中，不同芯片功能区中的芯片功能图形与半导体芯片的不同功能层相对应；通过测试光罩获取各不同芯片功能区中对准图形的偏移数据；然后根据获取的对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域，并在根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量之后，根据所述目标对准图形的位置及数量和所述芯片功能图形制备目标光罩，以有效地减少对准图形的数量，同时又能保证光罩的检测质量。

在其中一个实施例中，所述偏移数据包括偏移距离、横向偏移量、纵向偏移量及相对于预设方向的偏移角度中至少一种。

在其中一个实施例中，所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移角度的差值位于预设角度阈值范围内，且所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移距离的差值位于预设偏移距离阈值范围内。

在其中一个实施例中，所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移角度的差值位于所述预设角度阈值范围内，且所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移距离的差值位于所述预设偏移距离阈值范围内。

在其中一个实施例中，所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的横向偏移量的差值位于第一预设阈值范围内；及/或所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的纵向偏移量的差值位于第二预设阈值范围内。

在其中一个实施例中，所述聚类区域内所有所述对准图形的横向偏移量的差值位于所述第一预设阈值范围内；及/或所述聚类区域内所有所述对准图形的纵向偏移量的差值位于所述第二预设阈值范围内。

在其中一个实施例中，所述根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，包括：获取所述聚类区域内对准图形的位置及数量；根据所述聚类区域内对准图形的数量确定对应的目标对准图形的位置及数量。

在其中一个实施例中，在所述聚类区域内选择一个对准图形作为所述目标对准图形。

在其中一个实施例中，所述目标对准图形位于所述聚类区域的中心部。

在其中一个实施例中，在所述聚类区域内选择两个对准图形作为所述目标对准图形，两个所述目标对准图形分别位于所述聚类区域相对的两侧部。