[发明专利]光罩的制备方法及光罩在审
申请号: | 202110808267.3 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113534602A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 孙筱雨 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/44 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 杨明莉 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 方法 | ||
1.一种光罩的制备方法,其特征在于,包括:
提供测试光罩,所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区,所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形;
获取所述对准图形的偏移数据;
根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域;
根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量,以及根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述偏移数据包括偏移距离、横向偏移量、纵向偏移量及相对于预设方向的偏移角度中至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移角度的差值位于预设角度阈值范围内,且所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的所述偏移距离的差值位于预设偏移距离阈值范围内。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移角度的差值位于所述预设角度阈值范围内,且所述聚类区域内所有所述对准图形的所述偏移距离的差值位于所述预设偏移距离阈值范围内。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:
所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的横向偏移量的差值位于第一预设阈值范围内;及/或
所述聚类区域内任意相邻两个所述对准图形的纵向偏移量的差值位于第二预设阈值范围内。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:
所述聚类区域内所有所述对准图形的横向偏移量的差值位于所述第一预设阈值范围内;及/或
所述聚类区域内所有所述对准图形的纵向偏移量的差值位于所述第二预设阈值范围内。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量,包括:
获取所述聚类区域内对准图形的位置及数量;
根据所述聚类区域内对准图形的数量确定对应的目标对准图形的位置及数量。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述聚类区域内选择一个对准图形作为所述目标对准图形。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述目标对准图形位于所述聚类区域的中心部。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述聚类区域内选择两个对准图形作为所述目标对准图形,两个所述目标对准图形分别位于所述聚类区域相对的两侧部。
11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述聚类区域内选择三个对准图形作为所述目标对准图形,三个所述目标对准图形分别位于所述聚类区域的中心部以及相对的两侧部。
12.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据所述聚类区域内对准图形的数量确定对应的目标对准图形的位置及数量,包括:
选择部分所述聚类区域中的部分对准图形作为所述目标对准图形;或,
选择全部聚类区域中的部分对准图形作为所述目标对准图形。
13.根据权利要求1-6任一项所述的方法,其特征在于,所述对准图形还设置在所述芯片功能区的外周部。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述外周部的所述对准图形为等间距排布。
15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测试光罩的各所述芯片功能区的所述芯片功能图形互不相同。
16.一种光罩,其特征在于,采用权利要求1-15任一项所述的光罩的制备方法制成。
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