[发明专利]片上传输线特性的测试方法、装置、电子设备和存储介质

说明书

本申请属于电路去嵌入技术领域，尤其涉及片上传输线特性的测试方法、装置、电子设备和存储介质。首先确定插值节点和测试频点，构建两个去嵌入测试结构件，得到两个去嵌入测试结构件的散射矩阵，将散射矩阵换为传输矩阵：根据传输矩阵，得到去嵌入测试结构件左、右测试信号引脚的传输矩阵，对该传输矩阵进行处理，得到待测传输线的散射矩阵，经拟合处理，得到散射矩阵的极点‑留数模型；利用该模型得到片上传输线的性能。根据本公开的实施例，在一定数量去嵌入测试结构下，实现了传输线在长度一定变化范围之内的去嵌入，克服了传统“L‑2L”传输线去嵌入方法去嵌入效率低以及成本高的问题，极大地提高了传输线长度变化下的去嵌入效率。

技术领域

本申请属于电路去嵌入技术领域，尤其涉及片上传输线特性的测试方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术

随着微波单片集成电路的发展，对片上器件的表征也提出更高要求。在微波以及毫米波段，传输线不仅仅起着连接的作用，还可以用于设计片上电感、阻抗匹配以及滤波等，是常用的无源器件之一。因此，为了提高设计效率，如何对片上传输线进行参数化建模表征就成为亟需解决的问题！

去嵌入方法就是一种通过测试数据来建立模型的方法，具体是指从测试数据中去除测试连接结构的影响，从而获得仅表征片上器件自身特性的数据，达到建立器件模型的目的。“L-2L”传输线去嵌入方法作为常用的去嵌入方法具有测试结构少，精度高的优点，尤其适用于传输线类电路的去嵌入。但是传统的“L-2L”传输线去嵌入方法对于不同长度的传输线，就需要针对每一种长度的传输线进行去嵌入，需要制作大量的测试结构和进行大量的测试工作，具有效率低，去嵌入成本高的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种片上传输线特性的测试方法、装置、电子设备和存储介质。以解决相关技术中的技术问题。

根据本公开的第一方面，提出片上传输线特性的测试方法，包括：

设定传输线的长度，并确定插值节点和测试频点；

从插值节点中任选一个插值节点，构建两个去嵌入测试结构件，测试得到两个去嵌入测试结构件的散射矩阵，将两个去嵌入测试结构件的散射矩阵分别换为传输矩阵：

根据两个去嵌入测试结构件的传输矩阵，分别计算得到两个去嵌入测试结构件中的左测试信号引脚和右测试信号引脚的传输矩阵；

对左测试信号引脚和右测试信号引脚的传输矩阵进行处理，得到待测传输线的散射矩阵；

对待测传输线的散射矩阵进行拟合处理，得到待测传输线的散射矩阵的极点-留数模型；

对待测传输线的散射矩阵的极点-留数模型进行插值处理，得到参数化去嵌入模型，利用该参数化去嵌入模型，得到片上传输线的电磁特性与传输线长度之间的关系。

可选地，所述的从插值节点中任选一个插值节点，构建两个去嵌入测试结构件，包括：

从传输线的N个插值节点中任选一个插值节点L_n；

构建第一去嵌入测试结构件和第二去嵌入测试结构件，第一去嵌入测试结构件和第二去嵌入测试结构件分别包括左、右两个地-信号-地-引脚，将地-信号-地-引脚简称为GSG PAD，即，在第一被测传输线(或第二被测传输线)的左、右两侧分别设置测试信号引脚，第一被测传输线或第二被测传输线与测试信号引脚之间相连，测试信号引脚的两侧分别设有上地引脚和下地引脚，上地引脚和下地引脚通过金属地相导通；

设定第一被测传输线1的长度为L_n，第二被测传输线的长度L_n/2，分别对第一去嵌入测试结构件和第二嵌入测试结构件进行测试，得到两个散射矩阵；

可选地，根据两个去嵌入测试结构件的传输矩阵，分别计算得到两个去嵌入测试结构件中的左测试信号引脚和右测试信号引脚的传输矩阵，包括：