[发明专利]片上传输线特性的测试方法、装置、电子设备和存储介质

权利要求书

1.一种片上传输线特性的测试方法，其特征在于，包括：

设定传输线的长度，并确定插值节点和测试频点；

从插值节点中任选一个插值节点，构建两个去嵌入测试结构件，测试得到两个去嵌入测试结构件的散射矩阵，分别将两个去嵌入测试结构件的散射矩阵换为传输矩阵：

根据两个去嵌入测试结构件的传输矩阵，分别计算得到两个去嵌入测试结构件中的左边GSG PAD和右边GSG PAD的传输矩阵；

对左边GSG PAD和右边GSG PAD的传输矩阵进行计算，得到长度设定的待测传输线的散射矩阵，；

对待测传输线的散射矩阵进行拟合处理，得到待测传输线的散射矩阵的极点-留数模型；

对待测传输线的散射矩阵的极点-留数模型进行插值处理，得到参数化去嵌入模型，利用该参数化去嵌入模型，得到片上传输线的电磁特性与传输线长度之间的关系。

2.如权利要求1所述的片上传输线特性的测试方法，其特征在于，所述的从插值节点中任选一个插值节点，构建两个去嵌入测试结构件，包括：

(1)从传输线的N个插值节点中任选一个插值节点L_n；

(2)构建第一去嵌入测试结构件和第二去嵌入测试结构件，第一去嵌入测试结构件和第二去嵌入测试结构件分别包括左、右两个地-信号-地-引脚，将地-信号-地-引脚简称为GSG PAD；

(3)设定第一被测传输线1的长度为L_n，第二被测传输线的长度L_n/2，分别对第一去嵌入测试结构件和第二嵌入测试结构件进行测试，得到散射矩阵S(f_i,L_n)和S(f_i,L_n/2)。

3.如权利要求1所述的片上传输线特性的测试方法，其特征在于，所述的将两个去嵌入测试结构件的散射矩阵S(f_i,L_n)和S(f_i,L_n/2)分别转换为传输矩阵A_M(f_i,L_n)和A_M(f_i,L_n/2)，得到第一去嵌入测试结构件的传输矩阵A_M(f_i,L_n)和第二去嵌入测试结构件的传输矩阵A_M(f_i,L_n/2)。