[发明专利]一种谐振器的调频方法

说明书

本发明公开了一种谐振器的调频方法，包括：对目标晶圆上的谐振器组中的谐振器进行谐振频率测试，得到测试结果；根据测试结果，从谐振器组中确定待调整谐振器以及待调整谐振器的调整类型；对待调整谐振器进行模拟仿真，确定待调整谐振器的待调频区域；根据待调整谐振器的调整类型，对待调频区域进行沉积操作或刻蚀操作，沉积操作用于增加待调频区域的厚度，降低待调频区域的谐振频率，刻蚀操作用于降低待调频区域的厚度，提高待调频区域的谐振频率。本申请对未达标的谐振器进行优化，实现精准地调频，提高达标率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种谐振器的调频方法。

背景技术

薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)是一种压电声学无源器件，广泛应用于移动通信系统中的射频前端模块，实现射频信号的接收和发射功能。

在通信应用中，对薄膜体声波谐振器的谐振频率要求极其精准，例如，在常用的1.7GHz至2.7GHz频段内的薄膜体声波谐振器(或包含有谐振器的滤波器)的谐振频率需要在目标频率±0.2％的范围内。

相关技术中，主要通过精准控制半导体晶圆衬底上的压电薄膜的厚度均匀性，进而控制每一个薄膜体声波谐振器的频率误差。而压电薄膜的厚度则是通过优化沉积设备和薄膜沉积工艺，沉积出较均匀性良好的压电薄膜。

然而，生长制备厚度均匀性优良的压电薄膜，本身就具有很大的挑战性，再加上后续各道工艺引入的误差，不可避免的对薄膜体声波谐振器的频率带来更大的偏差影响。因此，仅仅通过控制压电薄膜的厚度均匀性，很难精确地将薄膜体声波谐振器的频率精准控制在目标值±0.2％的范围内。

也就是说，相关技术中制备的谐振器的达标率较低，却无法对没有达标的谐振器进行优化。

发明内容

本申请实施例通过提供一种谐振器的调频方法，解决了现有技术中无法对没有达标的谐振器进行优化的技术问题，实现了对未达标的谐振器进行优化，改善谐振器频率精度的技术效果。

本申请提供了一种谐振器的调频方法，方法包括：

对目标晶圆上的谐振器组中的谐振器进行谐振频率测试，得到测试结果；

根据测试结果，从谐振器组中确定待调整谐振器以及待调整谐振器的调整类型；

对待调整谐振器进行模拟仿真，确定待调整谐振器的待调频区域；

根据待调整谐振器的调整类型，对待调频区域进行沉积操作或刻蚀操作，沉积操作用于增加待调频区域的厚度，降低待调频区域的谐振频率，刻蚀操作用于降低待调频区域的厚度，提高待调频区域的谐振频率。

进一步地，根据测试结果，确定待调整谐振器的调整类型，包括：

根据测试结果与目标谐振频率范围之间的关系，将待调整谐振器划分为第一类谐振器和第二类谐振器，目标谐振频率范围由最大谐振频率和最小谐振频率确定；

其中，第一类谐振器包括谐振频率大于最大谐振频率的待调整谐振器，第二类谐振器包括谐振频率小于最小谐振频率的待调整谐振器。

进一步地，根据待调整谐振器的调整类型，对待调频区域进行沉积操作或刻蚀操作，包括：

当待调整谐振器为第一类谐振器时，对第一类谐振器的待调频区域进行沉积操作；

当待调整谐振器为第二类谐振器时，对第二类谐振器的待调频区域进行刻蚀操作。

进一步地，对第一类谐振器的待调频区域进行沉积操作，包括：

在第一类谐振器的钝化层表面制备第一掩膜；

对第一掩膜上与第一类谐振器的待调频区域对应的区域进行光刻；