[发明专利]一种谐振器的调频方法

权利要求书

1.一种谐振器的调频方法，其特征在于，所述方法包括：

对目标晶圆上的谐振器组中的谐振器进行谐振频率测试，得到测试结果；

根据所述测试结果，从所述谐振器组中确定待调整谐振器以及所述待调整谐振器的调整类型；

对所述待调整谐振器进行模拟仿真，确定所述待调整谐振器的待调频区域；

根据所述待调整谐振器的调整类型，对所述待调频区域进行沉积操作或刻蚀操作，所述沉积操作用于增加所述待调频区域的厚度，降低所述待调频区域的谐振频率，所述刻蚀操作用于降低所述待调频区域的厚度，提高所述待调频区域的谐振频率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试结果，确定所述待调整谐振器的调整类型，包括：

根据所述测试结果与目标谐振频率范围之间的关系，将所述待调整谐振器划分为第一类谐振器和第二类谐振器，所述目标谐振频率范围由最大谐振频率和最小谐振频率确定；

其中，所述第一类谐振器包括谐振频率大于所述最大谐振频率的待调整谐振器，所述第二类谐振器包括谐振频率小于所述最小谐振频率的待调整谐振器。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述待调整谐振器的调整类型，对所述待调频区域进行沉积操作或刻蚀操作，包括：

当所述待调整谐振器为所述第一类谐振器时，对所述第一类谐振器的所述待调频区域进行沉积操作；

当所述待调整谐振器为所述第二类谐振器时，对所述第二类谐振器的所述待调频区域进行刻蚀操作。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一类谐振器的所述待调频区域进行沉积操作，包括：

在所述第一类谐振器的钝化层表面制备第一掩膜；

对所述第一掩膜上与所述第一类谐振器的所述待调频区域对应的区域进行光刻；

在经过光刻后的区域沉积目标厚度的薄膜，并去除所述第一掩膜。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在经过光刻后的区域沉积目标厚度的薄膜之前，所述方法还包括：

根据所述薄膜厚度与谐振频率变化幅度之间的关系，确定所述目标厚度。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第二类谐振器的所述待调频区域进行刻蚀操作，包括：

在所述第二类谐振器的钝化层表面制备第二掩膜；

对所述第二掩膜上与所述第二类谐振器的所述待调频区域对应的区域进行光刻；

在经过光刻后的区域刻蚀目标深度的凹槽，并去除所述第二掩膜。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在经过光刻后的区域刻蚀目标深度的凹槽之前，所述方法还包括：

根据所述凹槽深度与谐振频率变化幅度之间的关系，确定所述目标深度。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待调整谐振器进行模拟仿真，确定所述待调整谐振器的待调频区域，包括：

对所述待调整谐振器进行模拟仿真，在所述待调整谐振器的有效区域之外的区域中，确定所述待调频区域，所述有效区域是指所述待调整谐振器的上电极和下电极在垂直方向上重叠的区域。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述待调整谐振器的有效区域之外的区域中，确定所述待调频区域，包括：

在所述有效区域之外的外围区域中，确定所述待调频区域，所述外围区域与所述有效区域之间间隔有预设宽度的环形区域。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述待调频区域进行沉积操作或刻蚀操作之后，所述方法还包括：

重新对经过沉积操作或刻蚀操作的待调整谐振器进行谐振频率测试，得到复检结果；

根据所述复检结果，确定所述待调整谐振器的谐振频率是否在目标谐振频率范围内。