[发明专利]图像传感器

说明书

一种图像传感器包括：衬底；限定单位像素的第一元件隔离区；位于所述单位像素中的第一光电转换区；位于所述单位像素中的第二光电转换区，所述第二光电转换区与所述第一光电转换区间隔开；浮置扩散区，所述浮置扩散区与所述衬底的第一表面相邻；位于所述衬底的所述第一表面上的第一传输门，所述第一传输门位于所述第一光电转换区与所述浮置扩散区之间；以及位于所述衬底的所述第一表面上的第二传输门，所述第二传输门位于所述第二光电转换区与所述浮置扩散区之间。所述第一传输门的至少一部分掩埋在所述衬底中，并且所述第一传输门的底表面与所述第二传输门的底表面处于不同的水平高度处。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年7月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0085255的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

一些示例实施例涉及图像传感器，并且更具体地，涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

背景技术

作为半导体器件之一的图像传感器将光信息转换成电信号。图像传感器的示例可以包括电荷耦合器件(CCD)图像传感器和/或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

图像传感器可以被构造成封装件的形式，并且在这种情况下，该封装件可以具有允许光入射在光接收表面和/或感测区域上的结构，同时保护图像传感器。

发明内容

一些示例实施例提供了一种图像传感器，该图像传感器能够促进缩小、提高满阱容量(FWC，full well capacity)和/或减轻光晕(blooming)现象。

然而，示例实施例不限于本文所阐述的示例实施例。通过参考下面给出的本公开的详细描述，以上和其他示例实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据一些示例实施例，提供了一种图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；第一元件隔离区，所述第一元件隔离区位于所述衬底中，所述第一元件隔离区限定单位像素；第一光电转换区，所述第一光电转换区位于所述单位像素中；第二光电转换区，所述第二光电转换区位于所述单位像素中，所述第二光电转换区与所述第一光电转换区间隔开；浮置扩散区，所述浮置扩散区位于所述衬底中，所述浮置扩散区与所述衬底的所述第一表面相邻；第一传输门，所述第一传输门位于所述衬底的所述第一表面上，所述第一传输门位于所述第一光电转换区与所述浮置扩散区之间；以及第二传输门，所述第二传输门位于所述衬底的所述第一表面上，所述第二传输门位于所述第二光电转换区与所述浮置扩散区之间。所述第一传输门的至少一部分掩埋在所述衬底中，并且所述第一传输门的底表面与所述第二传输门的底表面处于不同的水平高度处。