[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一元件隔离区，所述第一元件隔离区位于所述衬底中，所述第一元件隔离区限定单位像素；

第一光电转换区，所述第一光电转换区位于所述单位像素中；

第二光电转换区，所述第二光电转换区位于所述单位像素中，所述第二光电转换区与所述第一光电转换区间隔开；

浮置扩散区，所述浮置扩散区位于所述衬底中，所述浮置扩散区与所述衬底的所述第一表面相邻；

第一传输门，所述第一传输门位于所述衬底的所述第一表面上，所述第一传输门位于所述第一光电转换区与所述浮置扩散区之间；以及

第二传输门，所述第二传输门位于所述衬底的所述第一表面上，所述第二传输门位于所述第二光电转换区与所述浮置扩散区之间，

其中，所述第一传输门的至少一部分掩埋在所述衬底中，并且

所述第一传输门的底表面与所述第二传输门的底表面处于不同的水平高度处。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一传输门被构造为在所述衬底中形成第一沟道区，

所述第二传输门被构造为在所述衬底中形成第二沟道区，并且

所述第一沟道区的第一关断电势不同于所述第二沟道区的第二关断电势，所述第一关断电势是所述第一传输门处于关断状态的电势，所述第二关断电势是所述第二传输门处于关断状态的电势。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一传输门的底表面距所述衬底的所述第二表面的水平高度低于所述第二传输门的底表面距所述衬底的所述第二表面的水平高度，并且

所述第一关断电势大于所述第二关断电势。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一沟道区具有第一导电类型且具有第一杂质浓度，并且

所述第二沟道区具有所述第一导电类型且具有不同于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二传输门的底表面沿着所述衬底的所述第一表面延伸。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二传输门的至少一部分掩埋在所述衬底中，并且

所述第一传输门被掩埋的第一深度不同于所述第二传输门被掩埋的第二深度。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第二元件隔离区，所述第二元件隔离区位于所述衬底中，所述第二元件隔离区位于所述第一光电转换区与所述第二光电转换区之间；以及

第三元件隔离区，所述第三元件隔离区位于所述衬底中，所述第三元件隔离区位于所述第一元件隔离区与所述第二元件隔离区之间，

其中，所述第一元件隔离区、所述第二元件隔离区和所述第三元件隔离区具有第一导电类型，并且

所述第一光电转换区和所述第二光电转换区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，还包括：

第一沟道区，所述第一沟道区具有所述第一导电类型且具有第一杂质浓度，所述第一沟道区在所述衬底中位于所述第一光电转换区与所述浮置扩散区之间，

第二沟道区，所述第二沟道区具有所述第一导电类型且具有不同于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度，所述第二沟道区在所述衬底中位于所述第二光电转换区与所述浮置扩散区之间，

其中，所述第三元件隔离区的第三杂质浓度小于所述第一杂质浓度和所述第二杂质浓度。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括位于所述衬底中的元件隔离图案，所述元件隔离图案限定所述单位像素，

其中，所述元件隔离图案从所述衬底的所述第二表面延伸到所述第一元件隔离区。