[发明专利]绝缘结构形成方法

说明书

本发明涉及一种在第一半导体衬底(100)的内部和顶部上形成绝缘结构(605)的方法，包括以下步骤：a)形成从第一衬底(100)的第一表面(100T)在第一衬底中垂直延伸的沟槽(107)；b)利用多晶硅区从第一衬底的第一表面填充沟槽；c)在第一衬底的与第一表面相对的第二表面(100B)的侧部上减薄第一衬底，以暴露沟槽的底部处的多晶硅区；d)从第一衬底的第二表面去除多晶硅区；以及e)利用金属(601)从第一衬底的第二表面填充沟槽。

技术领域

本公开总体上涉及集成电路领域。它更特别地涉及集成电路中电和/或光学绝缘结构的形成。

背景技术

许多集成电路包括绝缘结构。这种结构能够使同一芯片的不同元件或不同区彼此电绝缘和/或光学绝缘。

在此特别地考虑在图像传感器中电绝缘和/或光学绝缘结构的形成。这种绝缘结构特别地可以用于将图像传感器的不同像素的感光区域彼此绝缘，或者在同一像素内将感光区域与像素的存储器区域绝缘。

发明内容

需要改进已知的绝缘结构形成方法。

实施例克服了已知绝缘结构形成方法的缺点中的全部或部分。

实施例提供了一种在第一半导体衬底的内部和顶部上形成绝缘结构的方法，包括以下步骤：

a)形成从第一衬底的第一表面在第一衬底中垂直延伸的沟槽；

b)利用多晶硅区从第一衬底的第一表面填充沟槽；

c)在第一衬底的与第一表面相对的第二表面的侧部上减薄第一衬底，以暴露沟槽的底部处的多晶硅区；

d)从第一衬底的第二表面去除多晶硅区；以及

e)利用金属从第一衬底的第二表面填充沟槽。

根据实施例，该方法还包括在步骤b)和步骤c)之间将第一衬底的第一表面结合到第二衬底的表面的步骤。

根据实施例，该方法还包括在步骤a)和步骤b)之间，在沟槽的侧壁和底部上形成第一电绝缘层的步骤。

根据实施例，该方法还包括在步骤a)和形成第一电绝缘层的步骤之间，沉积涂覆了沟槽的侧壁和底部的多晶硅层的步骤。

根据实施例，该方法还包括在步骤d)和步骤e)之间，从沟槽的侧壁和底部去除第一电绝缘层的步骤。

根据实施例，该方法还包括在步骤b)和步骤c)之间的步骤，在该步骤中：

-从沟槽的深度的一部分上去除多晶硅区；

-在多晶硅区的自由上表面上形成第二电绝缘层；以及

-完成沟槽的填充。

根据实施例，利用多晶硅来完成沟槽的填充。

根据实施例，利用金属来完成沟槽的填充。

根据实施例，所述绝缘结构使图像传感器的像素或图像传感器的像素的半导体区域侧向分离。

附图说明

本发明的前述和其他特征和优点将在下面结合附图对具体实施例和实施模式的非限制性描述中详细讨论，在附图中：

图1是示出形成绝缘结构的方法的第一实施模式的步骤的局部简化截面图；

图2是示出形成绝缘结构的方法的第一实施模式的另一步骤的局部简化截面图；

图3是示出形成绝缘结构的方法的第一实施模式的又一步骤的局部简化截面图；

图4是示出形成绝缘结构的方法的第一实施模式的又一步骤的局部简化截面图；