[发明专利]绝缘结构形成方法在审
| 申请号： | 202110783406.1 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113921553A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 诺伯特·穆西;塞德里克·吉鲁加朗波 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 结构 形成 方法 | ||
1.一种在第一半导体衬底(100；1600)的内部和顶部上形成绝缘结构(605；805；1505)的方法，包括以下步骤：
a)形成从所述第一衬底(100；1600)的第一表面(100T；1600T)在所述第一衬底中垂直延伸的沟槽(107)；
b)利用多晶硅区(205；905)从所述第一衬底的第一表面填充所述沟槽；
c)在所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面(100B；1600B)的侧部上减薄所述第一衬底，以暴露所述沟槽的底部处的所述多晶硅区；
d)从所述第一衬底的第二表面去除所述多晶硅区；以及
e)利用金属(601；801；1403；1403')从所述第一衬底的第二表面填充所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤b)和步骤c)之间，将所述第一衬底(100；1600)的第一表面(100T；1600T)结合到第二衬底(400；1300)的表面(400T；1300T)的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤a)和步骤b)之间，在所述沟槽(107)的侧壁和底部上形成第一电绝缘层(203；903)的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括在步骤a)和形成所述第一电绝缘层(203；903)的步骤之间，沉积涂覆了所述沟槽(107)的侧壁和底部的多晶硅层(201)的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括在步骤d)和步骤e)之间，从所述沟槽(107)的侧壁和底部去除所述第一电绝缘层(203；903)的步骤。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在步骤b)和步骤c)之间的包括以下的步骤：
-从所述沟槽(107)的深度(D)的一部分上去除所述多晶硅区(205；905)；
-在所述多晶硅区的自由上表面上形成第二电绝缘层(1101)；以及
-完成所述沟槽的填充。
7.根据权利要求6所述的方法，其中利用多晶硅来完成所述沟槽(107)的所述填充。
8.根据权利要求6所述的方法，其中利用金属来完成所述沟槽(107)的所述填充。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘结构(605；805；1505)侧向分离了图像传感器的像素或图像传感器像素的半导体区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
