[发明专利]包括干涉滤波器阵列的图像传感器

说明书

本发明涉及一种包括干涉滤波器阵列的图像传感器，该图像传感器包括：基板(12)，该基板包括包含适于捕获辐射的光电检测器(PH)的第一部分(18)和包含位于第一部分中的一些之间的电子组件的第二部分(19)；像素化滤波器(20)，该像素化滤波器包括滤波器像素(PF_IRCUT，PF_IRBP)，这些滤波器像素中的至少一些包括干涉滤波器(IRCUT)，该干涉滤波器包括平面层(21，22)的堆叠；以及屏蔽件(40)，该屏蔽件反射或吸收所述辐射、覆盖第二部分、并且包括反射或吸收所述辐射的壁(40)，这些壁沿着像素化滤波器的高度的至少一部分在滤波器像素(PF_IRCUT，PF_IRBP)之间延伸。

技术领域

本公开涉及一种包括干涉滤波器阵列的图像传感器，以及一种制造这种图像传感器的方法。

背景技术

形成可见光、红外(特别地对于从650nm到1050nm的波长)和/或紫外范围内的干涉滤波器阵列(特别是用于图像传感器(也称为成像器)的干涉滤波器阵列)是众所周知的，这需要分离多个频率范围。这种滤波器阵列也被称为像素化滤波器、滤波器像素或基本滤波器(对应于具有相同滤波特性的滤波器的最小元件)。

像素化滤波器的应用的示例对应于包括能够获取彩色图像和红外图像的传感器的设备。像素化滤波器然后可以包括让可见光通过并阻挡红外辐射的第一滤波器像素和让红外辐射(特别是近红外)通过并阻挡可见光的第二滤波器像素。

适于获取彩色图像和红外图像的传感器的应用的示例是所谓的RGB-Z滤波器，其中红外图像用于深度测量。红外图像可以通过将降低的光谱带中(例如850nm处、905nm处、940nm处等)的红外辐射投射到要被成像的场景中而获得、具有减小的光谱带。

在图像传感器中，像素化滤波器通常覆盖其中形成有光电检测器阵列的基板。干涉滤波器由多层的堆叠形成。例如，干涉滤波器可以包括由介电层和/或具有不同折射率(在下文中也称为光学折射率)的介电层的交替分离的半反射金属层的堆叠。滤波层的厚度取决于所期望的滤波特性。

图像传感器还可以在基板中包括位于光电检测器之间的除了光电检测器之外的电子组件，特别是存储器元件和晶体管。基板包括前侧和背侧，光电检测器和其他电子元件组件在基板的前侧上。当在基板的背侧上执行基板的照射时，图像传感器被称为背照式(back-side illuminated，BSI)，像素化滤波器覆盖基板的背侧。

有必要保护除了光电检测器以外的电子组件免受入射辐射的影响，以确保它们的正确操作。然而，在基板的背侧上形成屏蔽件将以保护除光电检测器之外的电子组件免受入射辐射的影响可能干扰像素化滤波器的制造。

发明内容

因此，实施例的目的是至少部分克服先前描述的图像传感器和制造方法的缺点。

实施例的另一目的是图像传感器包括在图像传感器的照射期间受保护的除了光电检测器之外的电子组件。

实施例的另一目的是图像传感器被背照式的。

实施例提供了一种图像传感器，包括：

基板，该基板包括第一部分和第二部分，所述第一部分包含适于捕获辐射的光电检测器，所述第二部分包含位于第一部分中的一些之间的电子组件；

像素化滤波器，该像素化滤波器包括滤波器像素，所述滤波器像素具有包括干涉滤波器的至少特定的组件，该干涉滤波器包括平面层的堆叠；以及屏蔽件，这些屏蔽件反射或吸收所述辐射、覆盖第二部分、并且包括反射或吸收所述辐射的壁，这些壁在像素化滤波器的高度的至少一部分内在滤波器像素之间延伸。

根据实施例，像素化滤波器包括第一和第二相对表面，这些壁从第一表面延伸到第二表面并界定滤波器像素。