[发明专利]包括干涉滤波器阵列的图像传感器在审
申请号: | 202110783401.9 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN113921552A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 昆廷·阿巴迪;弗朗索瓦·德诺维尔;莉莲·马萨罗托;杰罗姆·瓦扬 | 申请(专利权)人: | 原子能与替代能源委员会 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 干涉 滤波器 阵列 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器(10;50;60;70;80),包括:
基板(12),所述基板包括第一部分(18)和第二部分(19),所述第一部分(18)包含适于捕获辐射的光电检测器(PH),所述第二部分(19)包含位于所述第一部分中的一些之间的电子组件;
像素化滤波器(20),所述像素化滤波器包括滤波器像素(PFIRCUT,PFIRBP),所述滤波器像素具有包括干涉滤波器(IRCUT)的至少特定的组件,所述干涉滤波器包括平面层(21,22)的堆叠;以及
屏蔽件(40),所述屏蔽件反射或吸收所述辐射、覆盖所述第二部分、并且包括反射或吸收所述辐射的壁(40;42),所述壁在所述像素化滤波器的高度的至少一部分内在滤波器像素(PFIRCUT,PFIRBP)之间延伸。
2.根据权利要求1所述的图像传感器(10),其中所述像素化滤波器(20)包括第一相对表面和第二相对表面,其中所述壁(40)从所述第一表面延伸到所述第二表面,并且界定所述滤波器像素。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,包括搁置在第二表面上的透镜(32)阵列(30),所述像素化滤波器被插入在所述基板(12)和所述透镜(32)阵列之间,所述第一表面在所述基板侧上并且所述第二表面在所述透镜侧上,所述透镜的焦平面对应于所述第二表面的500nm内。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述壁(40)至少部分是金属的。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述滤波器像素被分布成第一滤波器像素(PFIRCUT)和第二滤波器像素(PFIRBP),每个第一滤波器像素(PFIRCUT)包括第一干涉滤波器(IRCUT)。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,包括被插入在所述第一滤波器像素(PFIRCUT)和所述透镜之间(32)的彩色滤波器,所述彩色滤波器至少包括第一彩色滤波器(R)和第二彩色滤波器(G),所述第一彩色滤波器适于仅让第一波长范围内的可见光通过,所述第二彩色滤波器适于仅让不同于所述第一范围的第二波长范围内的可见光通过。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中每个第一滤波器像素包括覆盖所述第一干涉滤波器(IRCUT)的第一介电块(24)。
8.根据权利要求5所述的图像传感器,其中每个第二滤波器像素(PFIRBP)包括第二介电块(23),所述第二介电块具有大于或等于所述第一干涉滤波器(IRCUT)的厚度的厚度。
9.根据权利要求8所述的从属于权利要求7的图像传感器,其中每个第二滤波器像素(PFIRBP)包括覆盖所述第二介电块(24)的第二干涉滤波器(IRBP),其中,对于所述第二滤波器像素中的至少一个,所述第二滤波器像素的第二介电块被插入在两个第一滤波器像素(PFIRCUT)的第一干涉滤波器(IRCUT)之间,并且所述第二滤波器像素的第二干涉滤波器被插入在所述两个第一滤波器像素的第一介电块之间。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的图像传感器,其中每个第一干涉滤波器(IRCUT)包括在可见范围内具有第一折射率的第一介电材料的第一介电层(21)和在可见范围内具有小于所述第一折射率的第二折射率的第二介电材料的第二介电层(22)的交替。
11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中每个第二干涉滤波器(IRBP)包括在所述红外范围内具有第三折射率的第三介电材料的第三介电层(25)和在所述红外范围内具有小于所述第三折射率的第四折射率的第四介电材料的第四介电层(26)的交替。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的