[发明专利]界面激基复合物敏化钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种界面激基复合物敏化的钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法，该器件包括依次层叠的空穴传输层、钙钛矿量子点发光层和电子传输层；空穴传输层包含空穴传输聚合物材料，电子传输层包含电子传输小分子材料，部分电子传输小分子材料穿过钙钛矿量子点发光层到达空穴传输层与钙钛矿量子点发光层的界面与部分空穴传输聚合物材料形成界面激基复合物，界面激基复合物增强钙钛矿量子点发光层发光；本发明的制备方法选用常规的溶液加工，例如旋涂工艺，和热蒸镀工艺相结合，成功的实现了电子传输材料和空穴传输材料形成界面激基复合物，实现了高效率纯钙钛矿量子点活性层发光。该方法简单易行，成本低，可操作性强。

技术领域

本发明涉及钙钛矿量子点发光二极管技术领域，具体涉及一种界面激基复合物敏化钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

随着发光材料被人们广为研究，量子点已经成为当今产业界的热门发光材料。量子点具有尺寸可调的发光特色，具有窄的发光光谱，可以显著提升液晶显示器的显示画面质量，提高其色彩逼真度。不论是在超高色域还是色彩的还原或纯度等等多个维度中都展现了它巨大的发展潜力，在显示与照明领域具有重要应用价值。

近年来，铅卤钙钛矿量子点(Perovskite Quantum Dots，PeQDs)因其优异的光电性能——发射波长易调节、光谱吸收宽、消光系数大、荧光发射效率高、发射谱线窄等，在基础研究和技术应用领域受到广泛关注。并且通过对钙钛矿结构中的卤素元素的调节可以改变带隙，实现从紫外到近红外的连续可协调发射，钙钛矿材料的这种性质对于构建不同波长的发光器件有着重要意义。

全无机钙钛矿量子点发光二极管(Perovskite light-emitting diodes，PeLEDs)器件一般包括五大功能层，分别为空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、量子点发光活性层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。在目前钙钛矿量子点发光二极管技术中，空穴传输层材料主要为聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](TFB)等聚合物或三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(CBP)等小分子，电子传输层材料主要为TPBi小分子材料或ZnO氧化物。通过分析与研究发现影响钙钛矿量子点发光二极管的性能主要来源于钙钛矿量子点的表面缺陷和成膜质量及空穴与电子的注入平衡。通过改善钙钛矿量子点合成工艺及器件结构设计等有效提升PeLEDs的器件性能和稳定性。