[发明专利]一种红外滤光片及其制备方法、红外气体传感器

权利要求书

1.一种二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，包括：

基底、主膜系结构和截止膜系结构，所述主膜系结构和所述截止膜系结构分别位于所述基底的两侧；

所述主膜系结构包括：

Sub/HLH2LHLHLHL2HLHLHLH2LH2L/Air；

所述截止膜系结构包括：

Sub/0.18(HL)⁵0.26(HL)⁷0.4(HL)⁷0.55(HL)⁷0.75(HL)⁸1.45(0.5LH0.5L)⁷/Air；

其中，Sub表示所述基底，Air表示空气，H表示四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L表示四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，膜系结构式中的数字表示膜层厚度系数，膜系结构式中的指数表示膜堆重复的次数，设计波长为9400nm，所述设计波长为中心波长，所述四分之一波长光学厚度为四分之一中心波长的光学厚度。

2.根据权利要求1所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，

所述二氟甲烷气体检测用红外滤光片的中心波长为9400±60nm，通带宽度为460±40nm，峰值透射率大于78%，且在1500nm~8800nm和9900nm~18000nm的截止区的最大透射率小于1%。

3.根据权利要求1所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，所述基底的材料包括单晶硅或单晶锗。

4.根据权利要求1所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，所述基底的厚度为D1，其中，0.4mm≤D1≤0.6mm。

5.一种红外气体传感器，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片。

6.一种二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，用于制备权利要求1-4任一项所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片，其特征在于，包括：

在真空状态下对基底进行烘烤；

在所述基底的一侧镀制主膜系结构，所述主膜系结构包括Sub/HLH2LHLHLHL2HLHLHLH2LH2L/Air；

在所述基底的另一侧镀制截止膜系结构，所述截止膜系结构包括Sub/0.18(HL)⁵0.26(HL)⁷0.4(HL)⁷0.55(HL)⁷0.75(HL)⁸1.45(0.5LH0.5L)⁷/Air，其中，Sub表示基底，Air表示空气，H表示四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L表示四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，膜系结构式中的数字表示膜层厚度系数，膜系结构式中的指数表示膜堆重复的次数，设计波长为9400nm，所述设计波长为中心波长，所述四分之一波长光学厚度为四分之一中心波长的光学厚度。

7.根据权利要求6所述的二氟甲烷气体检测用红外滤光片的制备方法，其特征在于，

在所述基底的一侧镀制主膜系结构，包括：

在所述基底的一侧交替蒸发Ge膜料和蒸发ZnS膜料，形成交替层叠的Ge膜层和ZnS膜层；其中，采用电子束蒸发工艺蒸发所述Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发所述ZnS膜料，所述Ge膜层的镀膜速率为0.4nm/s~0.6nm/s，所述ZnS膜层的镀膜速率为1nm/s~2nm/s；

在所述基底的另一侧镀制截止膜系结构，包括：

在所述基底的另一侧交替蒸发Ge膜料和蒸发ZnS膜料，形成交替层叠的Ge膜层和ZnS膜层；其中，采用电子束蒸发工艺蒸发所述Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发所述ZnS膜料，所述Ge膜层的镀膜速率为0.4nm/s~0.6nm/s，所述ZnS膜层的镀膜速率为1nm/s~2nm/s。