[发明专利]一种钙钛矿薄膜的气相钝化方法及基于其的光伏器件

权利要求书

1.一种钙钛矿薄膜的气相钝化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)制备PbI₂薄膜，作为前驱体薄膜；

(2)将MAI粉末与PbI₂薄膜置于管式炉中反应生成MAPbI₃钙钛矿薄膜；

(3)将tBBAI粉末和MAPbI₃薄膜置于管式炉中反应产生钝化层，具体操作如下，将盛有1-10mg tBBAI粉末的坩埚和MAPbI₃薄膜转移至双温区管式炉中，坩埚位于A温区，MAPbI₃薄膜位于B温区，用真空泵将石英管中抽至0.001Pa-100Pa，之后将管式炉A温区升温至185-225℃，B温区升温至100-160℃，反应5-30分钟，待反应结束，即得含钝化层的钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的气相钝化方法，其特征在于：所述步骤(1)中，通过溶液法或者热蒸发法制备PbI₂薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的气相钝化方法，其特征在于：所述步骤(1)中，PbI₂薄膜的厚度为150-300nm。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿薄膜的气相钝化方法，其特征在于：所述步骤(2)的具体步骤为，将分别盛有MAI粉末的坩埚和PbI₂薄膜转移至管式炉中，用真空泵将石英管中抽至0.001-100Pa之后，将管式炉升温至100-160℃，反应5-120分钟，待反应结束，即得到MAPbI₃薄膜。

5.一种光伏器件，其特征在于：所述光伏器件是结构为FTO/SnO₂/MAPbI₃/tBBAI/Spiro-OMeTAD/Ag的钙钛矿光伏电池，是在FTO导电玻璃表面依次沉积有作为电子传输层的SnO₂、作为光吸收层的MAPbI₃/tBBAI薄膜、空穴传输层Spiro-OMeTAD、Ag电极，所述MAPbI₃/tBBAI薄膜即含钝化层的钙钛矿薄膜，所述含钝化层的钙钛矿薄膜由权利要求1-4中任意一项所述制备方法所制得。

6.根据权利要求5所述的一种光伏器件，其特征在于： SnO₂薄膜的厚度为40-90nm，作为光吸收层的MAPbI₃/tBBAI薄膜的厚度为300-600nm，Spiro-OMeTAD薄膜的厚度为100-200nm，Ag电极层的厚度为60-150nm。