[发明专利]一种太阳能电池片及其背面PECVD法和应用

权利要求书

1.一种太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，所述背面PECVD法包括以下步骤：

(1)吹扫循环：插有硅片的石墨舟进舟前，对炉管循环进行氮气冲洗和一次抽真空操作；

(2)预处理：通入N₂O；

(3)镀膜处理：采用PECVD法依次沉积背钝化膜、氮化硅膜和氧化硅膜，得到经过背面PECVD处理的硅片；

(4)氮气清洗：取出插有硅片的石墨舟，用氮气清洗炉管。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，步骤(1)所述吹扫循环的循环次数为1～3次；

优选地，步骤(1)所述氮气冲洗包括：

通入流量为20000～100000sccm的氮气40～60s，温度设置为450～600℃；

优选地，步骤(1)所述一次抽真空包括：

在450～600℃下，进行一次抽真空；

优选地，步骤(1)中，对炉管循环进行氮气冲洗和一次抽真空操作后，依次进行充氮、放舟、升温、二次抽真空和恒压操作。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，所述充氮包括：

在450～600℃下，通入流量为2000～5000sccm的氮气；

优选地，所述升温包括：

压力设置为10000～20000mtorr，进行升温500～800s，最终升温至450～600℃；

优选地，所述二次抽真空的时间为20～30s；

优选地，所述恒压包括：

在450～600℃下，通入流量为1000～3000sccm的N₂O，达到恒定压力1000～1500mtorr。

4.根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，步骤(2)所述预处理包括：

在450～600℃下，压力设置为1000～2000mtorr，通入流量为2000～4000sccm的N₂O，时间为20～40s。

5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，步骤(3)所述镀膜处理包括以下步骤：

(I)抽真空和沉积背钝化膜：先抽真空，时间为20～30s，然后沉积氧化铝钝化膜或沉积氮氧化硅钝化膜；

(II)抽真空和沉积氮化硅膜：先抽真空，时间为20～30s，然后通入氮气6000～8000sccm，硅烷600～1200sccm，设置功率为6000～12000w，无效脉冲为30～60，有效脉冲为2～4，时间为300～600s，压力为1500～3000mtorr；

(III)抽真空和沉积氧化硅膜：先抽真空，时间为20～30s，然后通入笑气3000～6000sccm，硅烷300～600sccm，设置功率为3000～5000w，无效脉冲为30～60，有效脉冲为2～4，时间为100～200s，压力为1500～2000mtorr；

优选地，步骤(I)中沉积氧化铝钝化膜时，通入气体为氮气、笑气和三甲基铝；

优选地，步骤(I)沉积氮氧化膜时，通入气体为硅烷、氨气和笑气。

6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，步骤(3)所述镀膜处理结束后，依次进行抽真空、充氮气和取舟的操作；

优选地，步骤(3)所述镀膜处理结束后，抽真空的时间为20～30s；

优选地，步骤(3)所述镀膜处理结束后，充氮气过程中，氮气的通入流量为2000～5000sccm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能电池片的背面PECVD法，其特征在于，步骤(4)所述氮气清洗中，氮气的通入流量为20000～100000sccm；

优选地，步骤(4)所述氮气清洗中，清洗的时间为15～30s。