[发明专利]一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法

说明书

本申请提供一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法，电加热式半导体废气处理设备包括：反应腔，用于使半导体废气在其内反应；第一冷却器，所述第一冷却器环绕设置于所述反应腔的外壁上，且连通于所述反应腔内部；第二冷却器，所述第二冷却器环绕设置于所述第一冷却器的外壁上。本申请的技术方案实现了电加热式半导体废气处理设备快速降温，从而缩短了设备的维护时间。

技术领域

本申请涉及半导体废气处理技术领域，具体涉及一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法。

背景技术

半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分。在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。

针对废气处理方面，半导体行业酸、碱废气一般采用相应的碱液吸收和酸液吸收进行处理，工艺方法已非常成熟，只要适当优化相关工艺参数，能够满足本标准的要求，需要关注的有机废气的处理。目前处理有机废气的工艺有吸附法、吸收法、直接燃烧法、催化燃烧法、冷凝法等，吸附法采用活性炭直接吸附，净化效果好，但是运营成本会很高；吸收法适合于温度低、中高浓度的废气；直接燃烧法适合于高浓度、小风量废气治理；冷凝法适用于成分相对单一、浓度高、且有一定回收价值的有机废气。对于半导体行业低浓度、大风量、成分复杂的有机废气，吸附法、吸收法、燃烧法、冷凝法均不适用，比较适用的是吸附——催化燃烧法。

在半导体科学技术的发展中，电加热式废气处理设备在半导体废气处理中应用广泛，电加热式废气处理设备需要周期性的进行维护，所以在其维护前必须进行将设备降温到室温。因为其反应腔室为金属材质，发热采用金属加热丝等，所以其从工作温度(800℃～900℃)降低到室温的过程中需要经过1h～2h不等，降温慢，使设备的维护时间加长，大大降低了设备的工作效率。

背景技术部分的内容仅仅是公开人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。

发明内容

本申请旨在提供一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法，解决了电加热式半导体废气处理设备快速降温和缩短设备维护时间，以及降温过程中反应腔的腔体变形的问题。

根据本申请的一方面，提出一种电加热式半导体废气处理设备，包括：反应腔，用于使半导体废气在其内反应；第一冷却器，所述第一冷却器环绕设置于所述反应腔的外壁上，且连通于所述反应腔内部；第二冷却器，所述第二冷却器环绕设置于所述第一冷却器的外壁上。

根据一些实施例，所述的电加热式半导体废气处理设备还包括：隔热腔，环绕设置于所述第一冷却器和所述反应腔的外壁之间。

根据一些实施例，所述第一冷却器包括：

气冷腔，所述气冷腔环绕设置于所述隔热腔的外壁上；

进气管，所述进气管连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；

连通管，所述连通管的一端连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，所述连通管的另一端设置于所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，且连通于所述电加热式半导体废气处理设备的内部。

根据一些实施例，所述的电加热式半导体废气处理设备还包括：回收装置，所述回收装置连通所述反应腔内部。

根据一些实施例，所述回收装置包括：密闭箱体，所述密闭箱体连通所述反应腔内部；气体处理组件，所述气体处理组件设置于所述密闭箱体上，用于回收处理所述第一冷却器的气体。

根据一些实施例，所述第二冷却器包括：

水冷腔，所述水冷腔环绕设置于所述气冷腔的外壁上；

进水管，所述进水管连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；