[发明专利]一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品

权利要求书

1.一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法，其特征在于，具体步骤包括：采用微波化学气相沉积法沉积出初始金刚石膜；初始金刚石膜沉积完成后进行微波等离子体刻蚀，获得金刚石膜；

所述微波化学气相沉积法的气氛为H₂：350～450sccm，CH₄：8～12sccm；

所述微波化学气相沉积法的压强为12～15kPa，温度为800～900℃，时间为4.5～5.5h；

所述微波等离子体刻蚀的气氛条件由氩气和氢气组成；

所述氩气和氢气的体积比为(5～34):100；

所述氩气流量为20～100sccm；

所述微波等离子体刻蚀的压强为12～16kPa，温度为600～900℃，时间为20～80min。

2.根据权利要求1所述的一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法，其特征在于，所述微波化学气相沉积法在硅衬底上进行沉积。

3.根据权利要求1所述的一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法，其特征在于，所述金刚石膜的厚度为微米级或纳米级。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法制得的金刚石膜。