[发明专利]一种半导体扩散源温度控制器在审
申请号: | 202110757018.6 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN113515152A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 潘剑锋 | 申请(专利权)人: | 峰湃科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G05D23/20 | 分类号: | G05D23/20 |
代理公司: | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人: | 李岱 |
地址: | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 扩散 温度 控制器 | ||
本发明涉及半导体扩散技术领域,尤其涉及了一种半导体扩散源温度控制器,包括半导体扩散器、气泵、导气管和用热设备。该半导体扩散源温度控制器,通过启动气泵将外界空气从进气口导入,启动加热管,对扩散箱内部的空气进行加热,再将杂质从杂质源进口通入到扩散箱内部,增加单晶硅的导热性能,经过加热后的气体从排气管进入到导气管中,通过用单晶硅替代现有的二氧化硅作为导体介质,增加了导热性能,使半导体扩散的产生的延迟降低,避免造成温度控制器的控制效果不明显,通过在导气管的内部安装有保温层可以防止进入铁质管道内部的热气体热量流失,造成热量损失,隔热层可以隔绝热量传导至导气管的外壁,使人误触导致烫伤。
技术领域
本发明涉及半导体扩散技术领域,具体为一种半导体扩散源温度控制器。
背景技术
扩散运动是物质的随机热运动,趋向于降低其浓度梯度,即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动,扩散工艺是利用杂质的扩散运动,将所需要的杂质掺入硅衬底中,并使其具有特定的浓度分布。
随着半导体技术的不断发展,半导体扩散源由于其具有良好的控制性而被广泛的应用于功率集成电路中,在温度控制系统中,随着电路的尺寸持续地缩小并且电路操作频率不断地增加,使半导体扩散的产生的延迟严重,造成温度控制器的控制效果不明显。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体扩散源温度控制器,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体扩散源温度控制器,包括半导体扩散器、气泵、导气管和用热设备,所述气泵固定安装于半导体扩散器的右侧,所述导气管固定连接于半导体扩散器的顶部,所述用热设备固定连接于导气管远离半导体扩散器的一端。
所述半导体扩散器包括扩散箱,所述扩散箱的右侧顶部固定连接有进气口,所述扩散箱的右侧底部固定连接有杂质源进口,所述扩散箱的内部设置有单晶硅,所述扩散箱的外部固定安装有加热管,所述扩散箱的顶部固定连接有排气管。
优选的,所述进气口远离扩散箱的一端与气泵的输出端固定连接,所述单晶硅通过支撑杆固定安装于扩散箱的内部底端,所述加热管的数量为两个,两个所述加热管分别固定安装于扩散箱的正面和背部,所述排气管的数量为四个,四个所述排气管等间距分布于扩散箱的顶部,所述排气管远离扩散箱的一端与导气管连通,在用热设备工作时,首先通过启动气泵,将外界空气从进气口导入到扩散箱内部,启动加热管,对扩散箱内部的空气进行加热,再将杂质从杂质源进口通入到扩散箱内部,增加单晶硅的导热性能,经过加热后的气体从排气管进入到导气管中,通过用单晶硅替代现有的二氧化硅作为导体介质,增加了导热性能,使半导体扩散的产生的延迟降低,避免造成温度控制器的控制效果不明显。
优选的,所述导气管由铁质管道、保温层和隔热层组成,所述铁质管道固定安装于导气管的内部,所述保温层固定安装于铁质管道的外表面,所述隔热层固定安装于保温层的外表面,保温层可以防止进入铁质管道内部的热气体热量流失,造成热量损失,隔热层可以隔绝热量传导至导气管的外壁,使人误触导致烫伤。
优选的,所述导气管的中部固定安装有温度控制器,所述半导体扩散器的底部左侧固定安装有电源箱,所述半导体扩散器的底部右侧固定安装有控制机构,所述导气管延伸至用热设备的内部,所述电源箱分别与气泵和加热管电性连接。
优选的,所述温度控制器由显示仪、测量管、温度传感器和控制开关组成,所述显示仪固定安装于温度控制器的正面顶部,所述测量管固定连接于温度控制器的底部,所述温度传感器设置于测量管的内部,所述控制开关固定安装于温度控制器的正面底部。
优选的,所述控制开关与温度传感器信号连接,所述显示仪与电源箱电性连接,在用热设备工作时,经过导气管的气体会从测量管的内部通过,通过控制开关启动温度传感器,温度传感器测量通过的气体的温度,显示在显示仪上。
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