[发明专利]发光二极管及制备方法、显示器件

说明书

本申请提供一种发光二极管，包括依次层叠设置的阻隔层、电子传输层和发光层；所述阻隔层能够阻挡水透过，形成所述阻隔层的材料的禁带宽度为5eV到8eV。本申请通过在发光二级管中设置阻隔层实现对水氧的阻隔，有利于提高QLED器件的寿命。同时，由于形成阻隔层的材料的禁带宽度为5eV到8eV，可以有效地避免空穴从量子点发光层穿透而不影响电子的注入，有利于进一步提高发光二极管的寿命。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种发光二极管及制备方法、显示器件。

背景技术

发光二极管，例如量子点发光二极管(Quantum Dots Light-Emitting Diode，QLED)是一种新兴的显示器件，通常由电极、电荷注入层和电荷传输层、量子点发光层等薄膜结构堆叠而成。

QLED的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是其光学性能，例如色纯度高、连续可调的发射波长、高的发光效率和量子产率等。但QLED的稳定性和器件寿命仍然是制约QLED应用的主要因素。因此，提高QLED器件的寿命是目前急需解决的一个重要技术难题。

发明内容

本申请提供一种发光二极管及制备方法、显示器件，旨在解决现有QLED器件寿命不理想的技术问题。

一方面，本申请提供一种发光二极管，包括依次层叠设置的阻隔层、电子传输层和发光层；

所述阻隔层能够阻挡水透过，形成所述阻隔层的材料的禁带宽度为5eV到8eV。

在本申请一些实施例中，所述材料包括六方氮化硼纳米颗粒、六方氮化硼纳米线、六方氮化硼纳米管、六方氮化硼纳米片中的至少一种。

在本申请一些实施例中，所述阻隔层的厚度为10nm至25nm。

在本申请一些实施例中，所述阻隔层包括六方氮化硼层，所述电子传输层包括氧化锌层。

在本申请一些实施例中，形成所述发光层的材料包括一元量子点、二元量子点、三元量子点、钙钛矿量子点和量子点掺杂半导体材料中的至少一种。

本申请另一方面提供一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

在基底上依次层叠设置阻隔层、电子传输层和发光层，其中，所述阻隔层能够阻挡水透过，形成所述阻隔层的材料的禁带宽度在5eV到8eV。

在本申请一些实施例中，形成所述阻隔层的材料包括六方氮化硼纳米颗粒、六方氮化硼纳米线、六方氮化硼纳米管、六方氮化硼纳米片中的至少一种。

在本申请一些实施例中，所述六方氮化硼层采用旋涂工艺、蒸镀工艺、离子溅射工艺中的至少一种制备形成。

在本申请一些实施例中，成型所述六方氮化硼层的步骤包括：

制备形成分散液，所述分散液中包括六方氮化硼纳米颗粒、六方氮化硼纳米线、六方氮化硼纳米管、六方氮化硼纳米片中的至少一种；

将所述分散液旋涂在所述氧化锌层或所述量子点发光层上。

本申请又一方面提供一种显示器件，包括封装结构和所述的发光二极管，所述封装结构用于封装所述发光二极管。

本申请提供一种发光二极管、其制备方法及显示器件，通过在发光二级管中设置阻隔层实现对水氧的阻隔，有利于提高发光二极管的寿命。同时，由于形成阻隔层的材料的禁带宽度为5eV到8eV，可以有效地避免空穴从量子点发光层穿透而不影响电子的注入，有利于进一步提高发光二极管的寿命。

附图说明