[发明专利]发光二极管及制备方法、显示器件在审
| 申请号： | 202110756818.6 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115589741A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 马松 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/115 | 分类号： | H10K50/115;H10K50/84;H10K71/00;H10K59/10 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 显示 器件 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的阻隔层、电子传输层和发光层；
所述阻隔层能够阻挡水透过，形成所述阻隔层的材料的禁带宽度为5eV到8eV。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述材料包括六方氮化硼纳米颗粒、六方氮化硼纳米线、六方氮化硼纳米管、六方氮化硼纳米片中的至少一种。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述阻隔层的厚度为10nm至25nm。
4.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阻隔层包括六方氮化硼层，所述电子传输层包括氧化锌或二氧化钛层。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，形成所述发光层的材料包括一元量子点、二元量子点、三元量子点、钙钛矿量子点和量子点掺杂半导体材料中的至少一种。
6.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在基底上依次层叠设置阻隔层、电子传输层和发光层，其中，所述阻隔层能够阻挡水透过，形成所述阻隔层的材料的禁带宽度在5eV到8eV。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述阻隔层包括六方氮化硼层，形成所述阻隔层的材料包括六方氮化硼纳米颗粒、六方氮化硼纳米线、六方氮化硼纳米管、六方氮化硼纳米片中的至少一种。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼层采用旋涂工艺、蒸镀工艺、离子溅射工艺中的至少一种制备形成。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，成型所述六方氮化硼层的步骤包括：
制备形成分散液，所述分散液中包括六方氮化硼纳米颗粒、六方氮化硼纳米线、六方氮化硼纳米管、六方氮化硼纳米片中的至少一种；
将所述分散液旋涂在所述电子传输层或阴极上。
10.一种显示器件，其特征在于，包括封装结构和权利要求1至5任一项所述的发光二极管，所述封装结构用于封装所述发光二极管。
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