[发明专利]一种隔断填充单元及多电压域低功耗芯片有效
| 申请号： | 202110744849.X | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113555372B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王锐;谭钰鑫;李建军;莫军;王亚波 | 申请（专利权）人： | 广芯微电子（广州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址： | 510000 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隔断 填充 单元 电压 功耗 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种隔断填充单元，其特征在于，包括：依次层叠的衬底层、多晶硅层、扩散层以及金属层；
所述扩散层包括N+扩散层以及P+扩散层；所述衬底层被隔断为第一衬底和第二衬底，且所述隔断填充单元布设在多电压域低功耗芯片的隔离单元的左右两侧时，将所述隔离单元的衬底隔离。
2.如权利要求1所述的隔断填充单元，其特征在于，所述金属层，包括用于VDD供电的金属层，且所述用于VDD供电的金属层被隔断为第一金属层和第二金属层。
3.如权利要求1所述的隔断填充单元，其特征在于，所述衬底层为N阱衬底。
4.一种多电压域低功耗芯片，包括电源门控模块、可关断电源模块、电源开关、保持一直有电的标准单元以及若干隔离单元，其特征在于，每一所述隔离单元的左右两侧均设置有一如权利要求1-3任意一项所述的隔断填充单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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