[发明专利]薄膜传感器及其封装方法在审
申请号: | 202110741645.0 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN113651287A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 万蔡辛;俞江彬 | 申请(专利权)人: | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 传感器 及其 封装 方法 | ||
本发明公开了一种薄膜传感器及其封装方法,薄膜传感器的封装方法包括:形成包覆传感器结构的疏水膜;其中,所述传感器结构包括:基板以及位于所述基板之上的芯片;在所述基板的选定位置涂覆焊锡;贴装壳体,并进行回流焊,所述壳体包括连通孔;以及通过所述连通孔向所述基板与所述壳体之间的空腔填充凝胶。本发明提供的薄膜传感器及其封装方法,能够有效提高薄膜传感器的防潮、防尘能力。
技术领域
本发明涉及传感器制造技术领域,特别涉及一种薄膜传感器及其封装方法。
背景技术
传感器是一种能感受规定的被测量并按照一定的规律(数学函数法则)转换成可用信号的器件或装置,在感知外界压力、声音、光学等信号的薄膜传感器中,其封装结构的壳体上通常存在连通孔,如图1所示,传感器100包括基板110、壳体120和芯片130。基板110例如选自PCB基板;壳体120位于基板110上,壳体120与基板110之间形成空腔,同时,壳体120包括连通孔121;芯片130位于基板110上,且位于空腔之中,芯片130例如包括ASIC(Application Specific Integrated Circuit,专用集成电路)131和MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)132。进一步的,ASIC131位于基板110之上,MEMS132位于ASIC131之上,MEMS132包括用于感知外界信号的可动结构,例如薄膜。壳体120将传感器内部与外部环境隔离,连通孔121的存在使得芯片130的可动结构能够与外界环境接触,从而将各种物理量转换为电信号。然而,薄膜对外界环境中的各种杂物非常敏感,尤其是水等液体以及各种杂质容易吸附于薄膜上,导致传感器灵敏度下降,甚至失效,并且,当水及各种液体吸附于基板110或芯片130表面时,还会渗入侵蚀导致传感器电路失常或损毁。
因此,期待一种薄膜传感器及其封装方法,能够有效提高薄膜传感器的防潮、防尘能力。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种薄膜传感器及其封装方法,从而有效提高薄膜传感器的防潮、防尘能力。
根据本发明的一方面,提供一种薄膜传感器的封装方法,包括:形成包覆传感器结构的疏水膜;其中,所述传感器结构包括:基板以及位于所述基板之上的芯片;在所述基板的选定位置涂覆焊锡;贴装壳体,并进行回流焊,所述壳体包括连通孔;以及通过所述连通孔向所述基板与所述壳体之间的空腔填充凝胶。
可选地,所述形成包覆传感器结构的疏水膜包括:通过气相沉积工艺,在所述传感器结构的外表面形成自组装单分子膜。
可选地,形成所述自组装单分子膜的材料选自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。
可选地,在所述形成包覆传感器结构的疏水膜的步骤之后,还包括:通过研磨去除覆盖焊盘的所述疏水膜,其中,所述基板和/或所述芯片分别包括一个或多个所述焊盘。
可选地,在所述通过研磨去除覆盖焊盘的所述疏水膜的步骤之后,还包括:将引线与所述焊盘连接。
可选地,所述凝胶选自自聚二甲基硅氧烷硅凝胶。
根据本发明的另一方面,提供一种薄膜传感器,其特征在于,包括:基板;位于基板之上的壳体,所述壳体与所述基板之间形成空腔,所述壳体包括将所述空腔与外部连通的连通孔;芯片,位于所述基板之上,且位于所述空腔中;疏水膜,所述疏水膜包覆在所述基板和所述芯片的外表面;以及凝胶,所述凝胶填充于所述空腔中,所述凝胶的上表面高于所述芯片的上表面。
可选地,所述疏水膜选自自组装单分子膜。
可选地,形成所述自组装单分子膜的材料选自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。
可选地,所述基板选自PCB基板。
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