[发明专利]薄膜传感器及其封装方法

权利要求书

1.一种薄膜传感器的封装方法，包括：

形成包覆传感器结构的疏水膜；其中，

所述传感器结构包括：基板以及位于所述基板之上的芯片；

在所述基板的选定位置涂覆焊锡；

贴装壳体，并进行回流焊，所述壳体包括连通孔；以及

通过所述连通孔向所述基板与所述壳体之间的空腔填充凝胶。

2.根据权利要求1所述薄膜传感器的封装方法，所述形成包覆传感器结构的疏水膜包括：

通过气相沉积工艺，在所述传感器结构的外表面形成自组装单分子膜。

3.根据权利要求2所述的薄膜传感器的封装方法，形成所述自组装单分子膜的材料选自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。

4.根据权利要求1所述的薄膜传感器封装方法，在所述形成包覆传感器结构的疏水膜的步骤之后，还包括：

通过研磨去除覆盖焊盘的所述疏水膜，其中，

所述基板和/或所述芯片分别包括一个或多个所述焊盘。

5.根据权利要求4所述的薄膜传感器的封装方法，在所述通过研磨去除覆盖焊盘的所述疏水膜的步骤之后，还包括：

将引线与所述焊盘连接。

6.根据权利要求1所述的薄膜传感器的封装方法，所述凝胶选自自聚二甲基硅氧烷硅凝胶。

7.一种薄膜传感器，其特征在于，包括：

基板；

位于基板之上的壳体，所述壳体与所述基板之间形成空腔，所述壳体包括将所述空腔与外部连通的连通孔；

芯片，位于所述基板之上，且位于所述空腔中；

疏水膜，所述疏水膜包覆在所述基板和所述芯片的外表面；以及

凝胶，所述凝胶填充于所述空腔中，所述凝胶的上表面高于所述芯片的上表面。

8.根据权利要求7所述的薄膜传感器，所述疏水膜选自自组装单分子膜。

9.根据权利要求8所述的薄膜传感器，形成所述自组装单分子膜的材料选自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷。

10.根据权利要求7所述的薄膜传感器，所述基板选自PCB基板。

11.根据权利要求7所述的薄膜传感器，所述芯片包括：

专用集成电路，所述专用集成电路位于所述基板之上，

微机电系统，所述微机电系统位于所述专用集成电路之上，包括薄膜，所述薄膜用于感知外部环境的信号。

12.根据权利要求7所述的薄膜传感器，所述凝胶选自聚二甲基硅氧烷硅凝胶。

13.根据权利要求7所述的薄膜传感器，所述薄膜传感器选自气敏薄膜传感器、光敏薄膜传感器以及薄膜声音传感器中的任意一种。

14.根据权利要求13所述薄膜传感器，所述薄膜传感器采用栅格阵列封装。