[发明专利]芯片转移方法

说明书

本申请公开了一种芯片转移方法，包括：提供驱动背板及转移基板，转移基板上承载有多个发光芯片，多个发光芯片中一部分的发光芯片相对于该一部分以外的其它发光芯片，在转移基板的厚度方向上具有厚度差；对多个发光芯片通过补断差方式去除厚度差，形成一平整压合面；对平整压合面施力，以使发光芯片压合至驱动背板。使用该芯片转移方法进行发光芯片的批量转移时，各个发光芯片所受的压力均一，从而提升了各个发光芯片的转移良率。

技术领域

本申请属于显示设备技术领域，尤其涉及一种芯片转移方法。

背景技术

微型化发光二极管(micro-LED)显示器是微型化发光二极管阵列，也就是将发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化及阵列化后，巨量转移到驱动背板上，再利用物理沉积技术生成保护层，即可形成纳米级间距的微型化发光二极管。Micro LED相比LCD、OLED亮度、效率更高，响应时间更短，寿命更长，工作范围更宽，被认为是终极显示，可以应用于电视、增强和虚拟现实(AR/VR)、车载显示、可穿戴设备以及智能手机等终端产品上。

在微型化发光二极管批量转移过程中，由于不同颜色的微型化发光二极管厚度不同，因此批量转移时会影响转移的压力均一性，使得转移良率较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种芯片转移方法，使用该芯片转移方法进行发光芯片的批量转移时，各个发光芯片所受的压力均一，从而提升了各个发光芯片的转移良率。

本申请实施例提供了一种芯片转移方法，包括：

提供驱动背板及转移基板，所述转移基板上承载有多个发光芯片，所述多个发光芯片中一部分的发光芯片相对于该一部分以外的其它发光芯片，在所述转移基板的厚度方向上具有厚度差；

对所述多个发光芯片通过补断差方式去除厚度差，形成一平整压合面；

对所述平整压合面施力，以使发光芯片压合至所述驱动背板。

根据本申请实施例提供的芯片转移方法，所述补断差方式包括：

对所述转移基板图案化处理，在所述转移基板上形成具有多个凹陷容纳部的承载面，以填补所述多个发光芯片的所述厚度差。

根据本申请实施例提供的芯片转移方法，所述多个发光芯片中所述一部分的发光芯片的厚度大于所述该一部分以外的其它发光芯片的厚度；

所述转移基板的所述承载面上所述一部分的发光芯片对应分布于所述凹陷容纳部内，所述多个发光芯片背向所述承载面一侧形成所述平整压合面，并通过所述平整压合面压合至所述驱动背板。

根据本申请实施例提供的芯片转移方法，在所述提供驱动背板及转移基板之前还包括：

提供初始生长有发光芯片的发光芯片衬底和至少一个临时键合基板，将发光芯片由所述发光芯片衬底转移至所述临时键合基板。

根据本申请实施例提供的芯片转移方法，所述补断差方式包括：

对所述驱动背板进行图案化处理，形成具有多个凹陷容纳部的连接面。

根据本申请实施例提供的芯片转移方法，所述多个发光芯片中所述一部分的发光芯片的厚度大于所述该一部分以外的其它发光芯片的厚度；

在所述转移基板上所述一部分的发光芯片的背向所述转移基板一侧凸出于所述该一部分以外的其它发光芯片；

将所述多个发光芯片由所述转移基板转移至所述驱动背板具有多个凹陷容纳部的连接面，以使所述一部分的发光芯片对应分布于所述凹陷容纳部内，所述多个发光芯片背向所述连接面一侧形成所述平整压合面；

对所述平整压合面施力，以使所述多个发光芯片压合至所述驱动背板。