[发明专利]芯片转移组件及芯片转移方法在审
申请号: | 202110733066.1 | 申请日: | 2021-06-29 |
公开(公告)号: | CN115547872A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 陈伟伟 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 转移 组件 方法 | ||
1.一种芯片转移组件,其特征在于,包括:
转移基板,所述转移基板包括用于容纳芯片的多个芯片容纳孔;
控制机构,用于控制所述芯片固定于所述芯片容纳孔的孔壁或与所述芯片容纳孔的孔壁脱离。
2.根据权利要求1所述的芯片转移组件,其特征在于,所述控制机构包括胶体;
优选的,所述胶体为热固化胶或光敏胶。
3.根据权利要求2所述的芯片转移组件,其特征在于,所述芯片容纳孔的孔壁与位于所述芯片容纳孔内的所述芯片的侧壁之间的最小距离为0微米-10微米。
4.根据权利要求2所述的芯片转移组件,其特征在于,所述转移基板的厚度比所述芯片沿所述转移基板厚度方向的尺寸大,且所述转移基板的厚度与所述芯片沿所述转移基板厚度方向的尺寸的差值至少为1微米。
5.根据权利要求2所述的芯片转移组件,其特征在于,所述芯片容纳孔沿自身厚度方向的截面形状为梯形。
6.根据权利要求1所述的芯片转移组件,其特征在于,所述转移基板采用热胀冷缩材质,所述转移基板具有第一工位和第二工位,当所述转移基板处于第一工位时,所述芯片容纳孔容纳所述芯片,当所述转移基板处于第二工位时,所述芯片容纳孔夹紧所述芯片,所述控制机构包括用于调节所述转移基板温度的温控机构,以使所述转移基板在所述第一工位和所述第二工位间切换。
7.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:
使转移基板的第一侧与芯片背离衬底的一侧相对,将转移基板的芯片容纳孔与位于衬底上的芯片对位,并使所述芯片容纳于所述芯片容纳孔内;
调节控制机构以使所述芯片固定于所述芯片容纳孔的孔壁;
将所述芯片与所述衬底剥离;
将目标基板设置于所述转移基板的第一侧并对位,调节所述控制机构以使所述芯片与所述芯片容纳孔脱离,从而将芯片转移到所述目标基板。
8.根据权利要求7所述的芯片转移方法,其特征在于,所述芯片容纳孔沿自身厚度方向的截面形状为梯形,所述梯形的底边较小的一侧为所述转移基板的第一侧,所述梯形的底边较大的一侧为用于设置控制机构的第二侧。
9.根据权利要求7所述的芯片转移方法,其特征在于,所述目标基板包括基底、位于所述基底上的缓冲层以及位于所述缓冲层背离所述基底一侧的聚二甲基硅氧烷层。
10.根据权利要求7所述的芯片转移方法,其特征在于,所述调节控制机构以使所述芯片固定于所述芯片容纳孔的孔壁包括:
将与预设位置的所述芯片容纳孔所对应的芯片、分别与各个所述预设位置的所述芯片容纳孔的孔壁固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造