[发明专利]连接结构嵌入式基板在审
申请号: | 202110732628.0 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN114698227A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 咸晧炯;李沅锡;沈载成 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田硕;曹志博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 结构 嵌入式 | ||
本发明提供一种连接结构嵌入式基板,所述连接结构嵌入式基板,包括:印刷电路板,包括多个第一绝缘层、多个第一布线层以及第一堆积绝缘层,所述多个第一绝缘层中的至少一个第一绝缘层具有设置在其中的腔,所述多个第一布线层设置在所述多个第一绝缘层的外部部分上和/或内部部分中,所述第一堆积绝缘层设置在所述多个第一绝缘层的上表面上;以及连接结构,至少部分地设置在所述腔中。所述第一堆积绝缘层设置在所述腔中,并且所述连接结构的下表面和所述腔的下表面中的每个分别与所述第一堆积绝缘层的至少一部分接触。
本申请要求于2020年12月28日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0184112号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种连接结构嵌入式基板。
背景技术
随着印刷电路板(PCB)产品的性能提高,已经需要这样的PCB产品具有薄形化特性和电路布线微型化特性。具体地,随着专用集成电路(ASIC)和高带宽存储器(HBM)的性能提高,PCB产品组的电路线宽也已变细。因此,已经提出了一种其中嵌有连接结构的基板结构,该连接结构能够将ASIC和HBM彼此直接连接。
近来,在电子组件行业中,已经需要一种高度集成的PCB以应对5G高速通信和人工智能(AI)。微电路是用于高度集成的PCB的核心技术,并且目前,业界已经积极地进行对于微电路的研究和开发,但是由于多层和大的面积引起基板制造中良率的降低而导致的成本增加已经成为了一个问题。因此,正在开发一种以连接结构的形式单独制造用于需要微电路的区域的微电路并将制造的微电路嵌在大面积的基板中的技术,并且这样的技术的代表性示例可包括嵌入式多裸片桥接互连(EMIB)技术。
此外,在EMIB技术的情况下,在PCB中形成腔之后,需要使用附接到连接结构的粘合剂将连接结构固定到阻挡金属件,使得连接结构可在后处理中固定而不运动。在这种情况下,需要用于形成腔的附加工艺,并且用于结合连接结构的粘合剂(诸如,裸片附着膜(DAF))使用寿命短且昂贵,使得可能难以管理粘合剂的寿命,这会导致成本增加。
发明内容
本公开的一方面可提供一种连接结构嵌入式基板,在该连接结构嵌入式基板中,连接结构可在不使用用于结合连接结构的单独的粘合剂的情况下嵌在板中。
本公开的另一方面可提供一种连接结构嵌入式基板,该连接结构嵌入式基板具有改善的翘曲控制特性。
本公开的另一方面可提供一种连接结构嵌入式基板,在该连接结构嵌入式基板中,可改善当信号在裸片之间高速传输时的电特性。
根据本公开的一方面,一种连接结构嵌入式基板可包括:印刷电路板,包括多个第一绝缘层、多个第一布线层和第一堆积绝缘层,所述多个第一绝缘层中的至少一个第一绝缘层具有设置在其中的腔,所述多个第一布线层设置在所述多个第一绝缘层的外部部分上和/或内部部分中,所述第一堆积绝缘层设置在所述多个第一绝缘层的上表面上;以及连接结构,至少部分地设置在所述腔中。所述第一堆积绝缘层可设置在所述腔中,并且所述连接结构的下表面和所述腔的下表面中的每个分别与所述第一堆积绝缘层的至少一部分接触。
根据本公开的另一方面,一种连接结构嵌入式基板可包括:印刷电路板,包括第一绝缘体、多个第一布线层、第一堆积绝缘层和第二堆积绝缘层,所述第一绝缘体具有设置在所述第一绝缘体的至少一部分中的腔,所述多个第一布线层设置在所述第一绝缘体的外部部分上和/或内部部分中,所述第一堆积绝缘层设置在所述第一绝缘体上,所述第二堆积绝缘层设置在所述第一堆积绝缘层上;以及连接结构,至少部分地嵌在所述腔中,并且包括第二绝缘体和多个第二布线层,所述多个第二布线层设置在所述第二绝缘体的外部部分上和/或内部部分中。所述第一堆积绝缘层可设置在所述腔中,并且所述第一堆积绝缘层和所述第二堆积绝缘层可包括不同的绝缘材料。
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