[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板

说明书

本申请适用于器件工艺技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，通过在沉积第二金属层之前，在有源层中沟道区上设置有机材料层，由有机材料层对沟道区上的刻蚀液进行阻挡，可以避免对第二金属层进行刻蚀的刻蚀液对沟道区造成损伤，提升背沟道刻蚀型薄膜晶体管的性能，解决了目前背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制备工艺中，存在薄膜晶体管的背沟道被刻蚀液损坏的问题。

技术领域

本发明属于器件工艺技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。

背景技术

以薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)驱动的平板显示技术成熟度较高，低辐射等优异特点获得了飞速发展，特别是在便携式电子产品中获得了广泛的应用，霸占了显示市场的主流。针对高分辨率面板的日益需求，薄膜晶体管沟道长度的不断缩小，背沟道刻蚀型薄膜晶体管成为优选结构。

然而，目前背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制备工艺中，存在薄膜晶体管的背沟道被刻蚀液损坏的问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板，通过在沉积第二金属层之前，在有源层中沟道区上设置有机材料层，由有机材料层对沟道区上的刻蚀液进行阻挡，可以避免对第二金属层进行刻蚀的刻蚀液对沟道区造成损伤的问题。

本发明实施例第一方面提供了一种薄膜晶体管，衬底、第一金属层、第一绝缘层、有源层、有机材料层、第二金属层以及第二绝缘层以及像素电极，所述第一金属层和所述第一绝缘层设于衬底上，所述有源层设于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖于所述第二金属层，所述有机材料层设于有源层与所述第二金属层之间；

其中，所述有源层包括源极区、漏极区以及沟道区，所述第二金属层包括与所述源极区连接的源极电极、与所述漏极区连接的漏极电极，所述像素电极通过所述第二绝缘层中的沟槽与所述漏极电极或者所述源极电极连接。

在一个实施例中，所述漏极电极、所述源极电极与所述有源层之间设有有机材料层。

在一个实施例中，所述有机材料层还设于所述第二金属层与所述第一金属层之间的跨线重叠区域。

在一个实施例中，所述有机材料层采用光刻胶材料制备。

本发明第二方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括：

在衬底上形成第一金属层和第一绝缘层，所述第一金属层包括栅极层、存储电容第一电极板，所述第一绝缘层覆盖于所述衬底、所述栅极层、所述存储电容第一电极板上；

在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层包括源极区、漏极区以及沟道区；所述有源层与所述栅极层相对设置；

在所述第一绝缘层和所述有源层上形成有机材料层，并裸露出源极引线区域、漏极引线区域以及存储电容第二电极板区域；

沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行处理形成源极电极、漏极电极以及存储电容第二电极板，其中，所述存储电容第二电极板与所述存储电容第一电极板相对设置，所述源极电极通过所述源极引线区域与所述源极区连接，所述漏极电极通过所述漏极引线区域与所述漏极区连接；

对裸露在所述第二金属层外的有机材料层进行灰化处理；

沉积第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上形成沟槽，以露出所述漏极电极或者所述源极电极；

在所述沟槽上沉积像素电极。

在一个实施例中，所述对裸露在所述第二金属层外的有机材料层进行灰化处理，包括：

保留所述第一金属层与所述第二金属层的跨线重叠区域之间的有机材料层。

在一个实施例中，所述对裸露在所述第二金属层外的有机材料层进行灰化处理，包括：