[发明专利]一种芯片工艺角的确定方法及其确定装置、监控方法

说明书

本发明提供了一种芯片工艺角的确定方法及其确定装置、监控方法。该确定方法包括：获取每条环形振荡器在不同PVT条件下的Rosc仿真值；获取每条环形振荡器的Rosc实测值；根据Rosc实测值和Rosc仿真值，确定每种临界电压单元对应的参考环形振荡器，其中，在由相同种临界电压单元组成的环形振荡器中，参考环形振荡器的Rosc仿真值和Rosc实测值的相关性最好；获取不同PVT条件下的关键路径、以及每条关键路径中不同种临界电压单元的时延占比；根据时延占比和参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值；根据Rosc仿真参考值，确定每种PVT条件下芯片的工艺角。以提高所得到的Rosc仿真参考值的相关性，提高监控及评估制程的相关性，优化核签标准。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片工艺角的确定方法及其确定装置、监控方法。

背景技术

芯片测试是芯片性能质量最终量产认证主要手段，理想情况下芯片测试与产品设计预期能够做到完全相关(Correlate)。但实际情况是，由于电路设计非常复杂，电路设计中使用不同了不同临界电压(Vt)的单元(cell)，不同的单元使用了不同的器件类型(Device type)，以及不同PVT(Process、Voltage、Temperature，中文翻译分别对应为制程、电压、温度)条件下，关键路径(Criteria path)可能变化，导致关键路径上的不同单元的占比也会变化。

Rosc(Ring Oscillator，环形振荡器)作为评估制程(Process)的主要手段之一，目前的主要方式是采用集成电路设计的核签(Signoff)测试过程中的仿真值，与实际制造的芯片的实际测试值(Silicon测试的测试值)之间的相关性(Correlation)来反映制程的变化。现有的主要方式是通过对比，找出相关性最好的环形振荡器作为参考环形振荡器(Reference Ring Oscillator，简称Ref Rosc)，采用该参考环形振荡器的仿真值作为求取工艺角(Process Corner)的依据。

但是，该确定工艺角的方式仅仅依据一条参考环形振荡器，该方式与集成电路在应用过程中实际关键路径由不同的器件类型以及不同临界电压的单元组合而成的方式存在差异。该差异导致集成设计在核签测试过程中的仿真结果，与Silicon测试之间出现Miscorreltion(错误相关)现象，导致监控及评估制程的相关性较差。

发明内容

本发明提供了一种芯片工艺角的确定方法及其确定装置、监控方法，用于提高所确定的工艺角的相关性，进而提高监控及评估制程的相关性，优化核签标准。

第一方面，本发明提供了一种芯片工艺角的确定方法，其中，该芯片中设计有多条环形振荡器，每条环形振荡器由同一临界电压且同一器件类型的多个单元组成，多条环形振荡器中包含有至少两种临界电压的单元、以及至少两种器件类型的单元。该确定方法包括：获取每条环形振荡器在不同PVT条件下的Rosc仿真值(一种时延，Delay，单位为：ns)；获取每条环形振荡器的Rosc实测值；根据Rosc实测值和Rosc仿真值，确定每种临界电压单元对应的参考环形振荡器，其中，在由相同种临界电压单元组成的环形振荡器中，参考环形振荡器的Rosc仿真值和Rosc实测值的相关性最好；获取不同PVT条件下的关键路径、以及每条关键路径中不同种临界电压单元的时延占比；根据时延占比和参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值；根据Rosc仿真参考值，确定每种PVT条件下芯片的工艺角。

在上述的方案中，通过比对Rosc实测值和Rosc仿真值，确定每种临界电压单元的参考环形振荡器，并获取不同PVT条件下的关键路径、以及关键路径中不同种临界电压单元的时延占比，之后根据时延占比和参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值，以提高所得到的Rosc仿真参考值的相关性，进而提高确定的每种PVT条件下芯片的工艺角的相关性，提高监控及评估制程的相关性，优化核签标准。