[发明专利]一种芯片工艺角的确定方法及其确定装置、监控方法

权利要求书

1.一种芯片工艺角的确定方法，其中，所述芯片中设计有多条环形振荡器，每条环形振荡器由同一临界电压且同一器件类型的多个单元组成，所述多条环形振荡器中包含有至少两种临界电压的单元、以及至少两种器件类型的单元；其特征在于，所述确定方法包括：

获取每条环形振荡器在不同PVT条件下的Rosc仿真值；

获取每条环形振荡器的Rosc实测值；

根据所述Rosc实测值和所述Rosc仿真值，确定每种临界电压单元对应的参考环形振荡器；其中，在由相同种临界电压单元组成的环形振荡器中，所述参考环形振荡器的Rosc仿真值和Rosc实测值的相关性最好；

获取不同PVT条件下的关键路径、以及每条关键路径中不同种临界电压单元的时延占比；

根据所述时延占比和所述参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值；

根据所述Rosc仿真参考值，确定每种PVT条件下所述芯片的工艺角。

2.如权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述获取不同PVT条件下的关键路径、以及每条关键路径中不同临界电压值单元的时延占比包括：

获取每种PVT条件下的设定条数的关键路径，其中，所述设定条数大于1；

获取每条关键路径中不同临界电压单元的时延占比；

计算每种PVT条件下的所述设定条数的关键路径中，每种临界电压单元的时延占比的均值。

3.如权利要求2所述的确定方法，其特征在于，所述获取每种PVT条件下的设定条数的关键路径具体为：从静态时序分析报告中，获取每种PVT条件下的设定条数的关键路径；

所述获取每条关键路径中不同临界电压单元的时延占比具体为：从静态时序分析报告中，获取每条关键路径中不同临界电压单元的时延占比。

4.如权利要求2所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述时延占比和所述参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值包括：

根据所述每种临界电压单元的时延占比的均值、以及每种临界电压单元对应的所述参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值。

5.如权利要求4所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述每种临界电压单元的时延占比的均值、以及每种临界电压单元对应的所述参考环形振荡器，获得每种PVT条件对应的Rosc仿真参考值包括：

将相同PVT条件下，不同种临界电压单元的时延占比的均值，和不同种临界电压单元对应的参考环形振荡器的Rosc仿真值分别对应相乘，获得不同种临界电压单元的相乘结果；

将所述不同种临界电压单元的相乘结果分别求和，获得每PVT条件对应的Rosc仿真参考值。

6.如权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述Rosc仿真参考值，获确定每种PVT条件下所述芯片的工艺角包括：

根据所述Rosc仿真参考值，获得每种PVT条件下所述芯片的SSG、TT、FFG。

7.如权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述获取每条环形振荡器在不同PVT条件下的Rosc仿真值具体为：

通过SPICE仿真，获得每条环形振荡器在不同PVT条件下的Rosc仿真值。

8.如权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述至少两种临界电压的单元包括ULVT单元、LVT单元和SVT单元。