[发明专利]IGBT驱动保护控制电路和设备在审
| 申请号: | 202110720589.2 | 申请日: | 2021-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN115603725A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 尹韶文;秦玲;曹虎;尹雪芹 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/082;H03K7/08 |
| 代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 朱鸿雁 |
| 地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | igbt 驱动 保护 控制电路 设备 | ||
本发明公开了一种IGBT驱动保护控制电路和设备,IGBT驱动保护控制电路包括:信号采集电路用于采集电路故障检测信号,并在根据故障检测信号确定电路发生故障时,输出故障保护信号;驱动隔离电路用于驱动IGBT模块并在检测到IGBT模块故障时输出第一故障反馈信号;硬件保护电路用于在接收到故障保护信号或第一故障反馈信号时输出第一关波信号和故障信号;控制模块用于响应于故障信号或第一故障反馈信号或故障保护信号输出第二关波信号;PWM输出电路用于响应于第一关波信号和第二关波信号中的至少一个停止输出PWM脉冲信号。采用该电路可以多路径实现对IGBT模块的软硬件保护功能,提高可靠性。
技术领域
本发明涉及IGBT保护技术领域,尤其是涉及一种IGBT驱动保护控制电路和设备。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor,双极型三极管)和MOS(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor,电力晶体管)的低导通压降两方面优点,可以广泛应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
但是,由于大功率IGBT模块开关速度快,在运行过程中会出现过压、过流、过温、短路、误开通等故障,尤其对于半桥拓扑的IGBT,要求其上下桥臂不能同时导通,若设计不合理或保护不及时极易出现桥臂短路,而造成炸机的情况。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种IGBT驱动保护控制电路,采用该电路可以多路径实现对IGBT模块的软硬件保护,提高可靠性。
本发明的目的之二在于提出一种设备。
为了解决上述问题,本发明第一方面实施例提供一种IGBT驱动保护控制电路,包括:信号采集电路,用于采集电路故障检测信号,并在根据所述故障检测信号确定所述电路发生故障时,输出故障保护信号;第一驱动隔离电路,所述第一驱动隔离电路的第一输出端与IGBT模块连接,用于驱动所述IGBT模块并在检测到所述IGBT模块故障时输出第一故障反馈信号;硬件保护电路,所述硬件保护电路的第一输入端与所述信号采集电路的输出端连接,所述硬件保护电路的第二输入端与所述第一驱动隔离电路的第二输出端连接,用于在接收到所述故障保护信号或所述第一故障反馈信号时输出第一关波信号和故障信号;控制模块,所述控制模块的第一输入端与所述硬件保护电路的第二输出端连接,所述控制模块的第二输入端与所述第一驱动隔离电路的第二输出端连接,用于响应于所述故障信号或所述第一故障反馈信号输出第二关波信号,或者,所述控制模块的第一输入端与所述信号采集电路的输出端连接,所述控制模块的第二输入端与所述第一驱动隔离电路的第二输出端连接,用于响应于所述故障保护信号或所述第一故障反馈信号输出所述第二关波信号;PWM(Pulse width modulation,脉冲宽度调制)输出电路,所述PWM输出电路的第一输入端与所述硬件保护电路的第一输出端连接,所述PWM输出电路的第二输入端与所述控制模块的第一输出端连接,用于响应于所述第一关波信号和所述第二关波信号中的至少一个停止输出PWM脉冲信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110720589.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





