[发明专利]解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法

说明书

本发明涉及解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，涉及半导体集成电路技术，包括在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺，由于在超级结深沟槽打标区域采用scanner和WEE联合曝光，打标位置光刻胶充分曝光，显影后光刻胶完整保留下来，因此在深沟槽刻蚀后不会产生高台阶，打标识别和减薄撕膜也不会出现异常。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术，尤其涉及一种解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法。

背景技术

采用超级结(super junction)结构的MOS器件，由于其构造特殊，可以实现高电压(BV)下的低阻抗(R_dson)，同时低的阻抗也意味着低的发热，因此Super junction MOS又称为COOLMOS。

目前现有的超级结的制造方法，容易有硅草(silicon grass)缺陷出现，尤其是晶圆边缘(wafer edge)。目前，为了防止晶圆边缘刻蚀后产生硅草缺陷,光刻工艺时选用负性光刻胶。然，在超级结的形成过程中仍会有较多的难点，比如laser mark(打标)处的两个难题：1)光刻层次Laser mark处曝光，laser mark上有图形会导致晶背减薄(BGBM)处无法读取laser mark，如图1所示现有技术的Laser mark处有图形无法读取示意图；2)光刻层次Laser mark处不曝光，沟槽刻蚀后会留下几十微米的高台阶，如图2所示现有技术的Lasermark处贴膜后撕膜残留示意图。后段晶背减薄(BGBM)贴膜后，撕膜不净，有胶膜残留，会污染后续的制程机台。

发明内容

本发明在于提供一种解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，包括：在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺。

更进一步的，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光为：在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光，其余光刻层次的打标区域全不曝光。

更进一步的，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺为：先在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光，然后在超级结深沟槽打标区域进行晶片边缘曝光。

更进一步的，晶片边缘为半径从140mm至147mm的区域。

更进一步的，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺之前还包括：确认打标区域处撕膜不净的原因和读取失败的原因。

更进一步的，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺之后还包括：确认超级结产品在深沟槽光刻ADI后保证打标区域光刻胶全保留。

更进一步的，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺之后还包括：进一步保持到BGBM确认无读取失败和撕膜胶残留

附图说明

图1为现有技术的Laser mark处有图形无法读取示意图。

图2为现有技术的Laser mark处贴膜后撕膜残留示意图。

图3为采用本发明的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法的效果示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。