[发明专利]解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法在审
| 申请号： | 202110718854.3 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113506746A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王绪根;李玉华;谷云鹏;吴长明;姚振海;陈骆 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 解决 超级 工艺 区域 台阶 方法 | ||
1.一种解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，包括：在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺。
2.根据权利要求1所述的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光为：在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光，其余光刻层次的打标区域全不曝光。
3.根据权利要求1所述的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺为：先在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光，然后在超级结深沟槽打标区域进行晶片边缘曝光。
4.根据权利要求1或3所述的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，晶片边缘为半径从140mm至147mm的区域。
5.根据权利要求1所述的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺之前还包括：确认打标区域处撕膜不净的原因和读取失败的原因。
6.根据权利要求1所述的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺之后还包括：确认超级结产品在深沟槽光刻ADI后保证打标区域光刻胶全保留。
7.根据权利要求1所述的解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺之后还包括：进一步保持到BGBM确认无读取失败和撕膜胶残留。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
