[发明专利]Micro OLED叠层封装结构应力测试方法及Micro OLED叠层封装结构

权利要求书

1.一种Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法的测试步骤为：

S1.在硅片基底(7)上制备第一封装层(1)；

S2.在第一封装层(1)上制备第二封装层(2)；

S3.在第二封装层(2)上制备第三封装层(3)；

S4.在第三封装层(3)上制备可再生的应力发光材料涂层(4)，其中应力发光材料是微米尺寸的多晶颗粒，应力发光材料的制备包括但不限于高温固相法、溶胶凝胶、超声波热解技术、物理气相沉、磁控溅射技术，应力发光材料包括但不限于SrAl2O4或Ca2Al2SiO7或BaSi2O2N2或ZnS或NaNbO3，然后将所制备的微米级颗粒的应力发光材料与光学透明的弹性聚合物混合形成有弹性的应力发光材料涂层(4)，优选地，用8：2的重量比混合，光学透明的聚合物包括但不限于热塑性硫化橡胶，硅橡胶等，优选地用硅橡胶，最后将应力发光材料涂层(4)涂敷于第三封装层(3)表面，涂敷方法包括但不限于通过丝网印刷、浸涂、旋涂和喷涂，应力发光材料涂层厚度为1um-5um。

2.根据权利要求1所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：制备第一封装层(1)时，第一封装层(1)选用无机层，其中无机层的制备方法包括但不限于ALD、PECVD，无机层由AiO或TiO或SiN或SiO或Si0N制成，无机层的厚度为10nm-40nm。

3.根据权利要求2所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：制备第二封装层(2)时，第二封装层(2)选用无机层，其中无机层的制备方法包括但不限于ALD、PECVD，无机层由AiO或TiO或SiN或SiO或Si0N制成，无机层的厚度为500nm～2000nm。

4.根据权利要求3所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：制备第三封装层(3)时，第三封装层(3)选用无机层，其中无机层的制备方法包括但不限于ALD、PECVD，无机层由AiO或TiO或SiN或SiO或Si0N，无机层的厚度为10nm-40nm。

5.根据权利要求1或2所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法制备的应力发光材料涂层(4)的厚度优选2um，应力发光材料优选ZnS。

6.根据权利要求4所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：所述的第一封装层(1)的无机层优选AiO，厚度优选20nm；第二封装层(2)的无机层优选SiN，厚度优选1000nm；第三封装层(3)的无机层优选TiO，厚度优选20nm。

7.根据权利要求1所述的Micro OLED叠层封装结构应力测试方法，其特征在于：所述的硅片基底(7)上的封装层(8)发生应力变化时，伴随着封装层(8)的形变，具体表现为封装层(8)出现凹陷或凸起，应力发光材料涂层(4)受到封装层(8)形变引起的拉伸或者压缩的机械刺激，表面的应力发光材料涂层(4)将应力发光材料涂层(4)的结构承受的机械刺激转化为应力发光，起到检测应力变化的作用。

8.一种Micro OLED叠层封装结构，其特征在于：所述的Micro OLED叠层封装结构包括第一封装层(1)、第二封装层(2)、第三封装层(3)、应力发光材料涂层(4)、硅片基底(7)，应力发光材料涂层(4)粘连第三封装层(3)，应力发光材料涂层(4)包括有机弹性体(5)和应力发光颗粒(6)，应力发光颗粒(6)混合在有机弹性体(5)内。

9.根据权利要求8所述的Micro OLED叠层封装结构，其特征在于：所述的第一封装层(1)一侧表面粘连硅片基底(7)，第一封装层(1)另一侧表面粘连第二封装层(2)一侧表面，第二封装层(3)另一侧表面粘连第三封装层(3)一侧表面，第三封装层(3)另一侧表面粘连应力发光材料涂层(4)。

10.根据权利要求8或9所述的Micro OLED叠层封装结构，其特征在于：所述的第一封装层(1)、第二封装层(2)、第三封装层(3)形成封装层(8)。