[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括器件区和引线区，所述引线区位于所述器件区的外围，所述器件区包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，相邻所述有源区之间具有第一隔离结构，所述第一隔离结构自所述第一面向所述第二面贯穿所述衬底，所述引线区包括若干引线沟槽，所述引线沟槽自所述第一面向所述第二面贯穿所述衬底；

位于所述衬底内的若干字线栅结构，所述字线栅结构自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅结构沿所述第二方向贯穿若干所述有源区；

位于所述第一面内的若干第一源漏掺杂区；

位于所述第二面内的若干第二源漏掺杂区；

位于所述第一面上的若干电容结构，所述电容结构包括上极板、下极板、以及位于所述上极板和所述下极板之间的介电层，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂区电连接；

位于所述第一面上的导电层，所述导电层连接若干所述电容结构的上极板且填充满所述引线沟槽；

位于所述第二面上的若干平行于所述第一方向的位线层，每个所述位线层与一个所述有源区中的若干第二源漏掺杂区电连接。

2.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述引线沟槽的深宽比为：5～50。

3.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述导电层的材料包括：硅锗。

4.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一隔离结构的材料包括氮化硅。

5.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，各所述有源区均包括若干沟道区和若干字线区，每个所述有源区中的所述沟道区和所述字线区沿所述第一方向间隔排列；所述字线栅结构位于所述字线区内；所述第一源漏掺杂区位于所述沟道区的第一面内，所述第二源漏掺杂区位于所述沟道区的第二面内。

6.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线栅结构包括：字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层上的字线栅层。

7.如权利要求6所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线栅层包括单层结构或复合结构。

8.如权利要求5所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述字线区和所述沟道区内的隔离层，且所述隔离层与一侧的所述字线栅结构相接触。

9.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂区上的第一导电插塞，每个所述电容结构与一个所述第一导电插塞电连接。

10.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第二源漏掺杂区上的第二导电插塞，每个所述位线层与一个所述有源区上的若干所述第二导电插塞电连接。