[发明专利]衬底处理装置在审
申请号: | 202110696619.0 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN114068351A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 井上正史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
本发明提供一种衬底处理装置。衬底处理装置(10)具备:衬底处理单元(100),对衬底(W)进行处理;循环流路(330),配置有对被供给到衬底处理单元(100)中的处理液进行加热的加热器(313),且供处理液进行循环;吐出流路(132),从循环流路(330)分支,使处理液流向衬底处理单元(100);及阀(136),配置在吐出流路(132)中。循环流路(330)的一部分沿着吐出流路(132)的一部分配置。
技术领域
本发明涉及一种衬底处理装置。
背景技术
对衬底进行处理的衬底处理装置适宜用于半导体装置的制造等中。衬底处理装置中,向衬底供给处理液来对衬底进行处理。在对衬底进行处理时要使用高温处理液的情况下,有时使一边在加热器内进行循环一边被设定为特定温度的处理液向衬底吐出(参照专利文献1)。
专利文献1的衬底处理装置中,使一边进行循环一边被加热器设定为特定温度的处理液用于衬底的处理,并且当从喷嘴的待机位置排出处理液时,阻断循环路径的内部与衬底周围的环境。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2020-35920号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
专利文献1的衬底处理装置中,当经过循环的处理液经过吐出流路从喷嘴朝向衬底吐出时,在吐出流路中,处理液的温度有时会下降。尤其是,在开始向衬底吐出处理液的情况下,即便处理液在循环流路中经过调节,但当处理液流经吐出流路时处理液的温度仍会下降,有时使得衬底的特性发生变化。
本发明是鉴于所述课题而完成的发明,其目的在于提供一种当经过循环的处理液向衬底吐出时,能够抑制处理液的温度下降的衬底处理装置。
[解决问题的技术手段]
根据本发明的一态样,衬底处理装置具备:衬底处理单元,对衬底进行处理;循环流路,配置有对被供给到所述衬底处理单元中的处理液进行加热的加热器,且供所述处理液进行循环;吐出流路,从所述循环流路分支,使所述处理液流向所述衬底处理单元;及阀,配置在所述吐出流路中;且所述循环流路的一部分沿着所述吐出流路的一部分配置。
在一实施方式中,所述循环流路的一部分平行于所述吐出流路的一部分而延伸。
在一实施方式中,所述循环流路的一部分与所述吐出流路的一部分接触。
在一实施方式中,所述衬底处理装置进一步具备隔热材料,该隔热材料覆盖所述循环流路的一部分及所述吐出流路的一部分。
在一实施方式中,所述阀包含马达针阀。
在一实施方式中,进一步包含流量计,该流量计配置在所述吐出流路中。
在一实施方式中,所述阀包含三向阀。
在一实施方式中,所述衬底处理装置进一步具备收容部,该收容部收容所述循环流路的一部分、所述吐出流路的一部分、及所述阀。
在一实施方式中,所述收容部具有:箱,上方开口;及盖,覆盖所述箱的上方。
在一实施方式中,所述衬底处理单元包含:腔室,用于对所述衬底进行处理;衬底保持部,配置在所述腔室内;杯体(cup),配置在所述腔室内;驱动室,配置有驱动所述衬底保持部及所述杯体的驱动部;及框架,位于所述腔室与所述驱动室之间;且所述收容部配置在所述框架的侧方。
在一实施方式中,所述循环流路具有:主流路;及迂回流路,从所述主流路分支,与所述吐出流路连接;且所述迂回流路的一部分沿着所述吐出流路的一部分配置。
[发明效果]
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造