[发明专利]衬底处理装置在审
申请号: | 202110696619.0 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN114068351A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 井上正史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1.一种衬底处理装置,具备:
衬底处理单元,对衬底进行处理;
循环流路,配置有对被供给到所述衬底处理单元中的处理液进行加热的加热器,且供所述处理液进行循环;
吐出流路,从所述循环流路分支,且使所述处理液流向所述衬底处理单元;及
阀,配置在所述吐出流路中;且
所述循环流路的一部分沿着所述吐出流路的一部分配置。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述循环流路的一部分平行于所述吐出流路的一部分而延伸。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述循环流路的一部分与所述吐出流路的一部分接触。
4.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中进一步具备隔热材料,该隔热材料覆盖所述循环流路的一部分与所述吐出流路的一部分。
5.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述阀包含马达针阀。
6.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中进而包含流量计,该流量计配置在所述吐出流路中。
7.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述阀包含三向阀。
8.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中进一步具备收容部,该收容部收容所述循环流路的一部分、所述吐出流路的一部分、及所述阀。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置,其中所述收容部具有:箱,上方开口;及盖,覆盖所述箱的上方。
10.根据权利要求8所述的衬底处理装置,其中所述衬底处理单元包含:
腔室,用于对所述衬底进行处理;
衬底保持部,配置在所述腔室内;
杯体,配置在所述腔室内;
驱动室,配置有驱动所述衬底保持部及所述杯体的驱动部;及
框架,位于所述腔室与所述驱动室之间;且
所述收容部配置在所述框架的侧方。
11.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述循环流路具有:
主流路;及
迂回流路,从所述主流路分支,与所述吐出流路连接;且
所述迂回流路的一部分沿着所述吐出流路的一部分配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造