[发明专利]PMOS管驱动电路

说明书

本申请公开了一种PMOS管驱动电路。包括：第一电源、第二电源、第三电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、三极管；所述第一电源与所述PMOS管的源极、第一电阻的一端相连接；所述第二电源与所述PMOS管的漏极连接；所述第一电阻的另一端与所述PMOS管的栅极、第二电阻的一端相连接；所述第二电阻的另一端与所述三极管的集电极连接；所述第三电源与所述三极管的基极、第三电阻的一端相连接；所述三极管的发射极与所述第四电阻的一端相连接；所述第三电阻的另一端、第四电阻的另一端接地。本申请能够实现PMOS管的驱动电压VGS不受第一电源的影响，增强了MOS管驱动电路的稳定性，电路结构简单，降低了生产成本。

技术领域

本公开一般涉及PMOS管电路技术领域，尤其涉及一种PMOS管驱动电路。

背景技术

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点已成为电子产品生产中不可或缺的重要元器件，在手机、笔记本电脑、蓝牙耳机、移动电源等都有MOS管的身影。然而，对一个MOSFET而言，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

目前一般的PMOS管的驱动电路多采用的是三极管控制的电阻分压的方式，由于PMOS管的驱动电压VGS与电源电压有关，所以这种驱动电路的控制方式如果遇到电源电压变化比较大的情况，驱动电压VGS就会受到电源电压的影响。若电源电压低时，驱动电压VGS会随之减小，可能会导致MOS管的开关功能失效；若电源电压高时，驱动电压VGS随之增大，可能会超过MOS管的VGS安全电压，增加回路功耗等问题，导致PMOS管的使用场景大大受限。

因此，现有技术需要改进。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种PMOS管驱动电路，能够符合现有对PMOS管的需求。

基于本发明实施例的一个方面，本申请实施例提供了一种PMOS管驱动电路，包括：

第一电源、第二电源、第三电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、三极管；

所述第一电源与所述PMOS管的源极、第一电阻的一端相连接；

所述第二电源与所述PMOS管的漏极连接；

所述第一电阻的另一端与所述PMOS管的栅极、第二电阻的一端相连接；

所述第二电阻的另一端与所述三极管的集电极连接；

所述第三电源与所述三极管的基极、第三电阻的一端相连接；

所述三极管的发射极与所述第四电阻的一端相连接；

所述第三电阻的另一端、第四电阻的另一端接地。

在另一个实施例中，所述第一电源为可变电压电源。

在另一个实施例中，所述第三电源为高电平时，所述三极管的集电极与发射极导通，所述第一电源的电压依次经过所述第一电阻、第二电阻、三极管、第四电阻和接地后形成回路，此时，所述第一电阻两端的电压为所述PMOS管的驱动电压。

在另一个实施例中，所述三极管的发射极与所述第四电阻的一端连接，构成电流负反馈，形成所述三极管的射极跟随电流；

所述三极管的集电极电流为：

I_c≈(VCC-V_BE(on))/R4；

式中，VCC为第三电源电压，V_BE(on)为三极管的基极、发射极导通电压；

所述PMOS管的驱动电压为：

VGS＝R₁*I_c；